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드라이 에칭 프로세스의 플라즈마 쉬스 모델링
Plasma sheath modeling of Dry etching process 원문보기

대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회, 2007 July 18, 2007년, pp.1432 - 1433  

유광준 (성균관대학교) ,  이세연 (성균관대학교) ,  박일한 (성균관대학교)

초록
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반도체 제조공정에서 널리 쓰이고 있는 플라즈마 에칭프로세스는 기판의 물질을 선택적으로 제거할 때 사용하는 방법이다. 컴퓨터 시뮬레이션을 이용하여 플라즈마 에칭공정을 예측하기 위한 많은 노력이 행하여져 왔다. 그러나 많은 연구에서 플라즈마와 쉬스영역을 따로 모델링하거나 PIC-MC 방법을 이용하였다. 본 논문에서는 반도체 에칭 공정에 사용되는 플라즈마와 플라즈마 쉬스를 상용 코드인 Multiphysics를 사용하여 동시에 시뮬레이션하고 실험결과와의 일치성을 보이고자 한다.

AI 본문요약
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제안 방법

  • 플라즈마와 쉬스의 모델링을 위하여 Hydrodynamic Equation을 적용하고 전류밀도와 플라즈마 유지조건을 경계조건으로 사용 하고자 한다.

이론/모형

  • 많은 복합적인 물리현상의 결과이다. 먼저 전자기장 필드계산을 위하여 Maxwell 방정식, Electrostatic Potential 계산을 위한 Poisson's 방정식, Drift Diffusion을 계산하기 위하여 위치에 따른 전자밀도, 전자의 운동역학적인 특성과 충돌에 의한 에너지 전이를 계산을 해야 한다.
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