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연합인증

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Dielectric, and Piezoelectric Properties of $Bi_{0.5} (Na{1-x}K_x)_{0.5}TiO_3$ Lead-free Ceramics 원문보기

한국재료학회 2007년도 추계학술발표대회 및, 2007 Nov. 02, 2007년, pp.95.1 - 95.1  

두문 (창원대학교 세라믹공학과) ,  김명호 (창원대학교 세라믹공학과) ,  송태권 (창원대학교 세라믹공학과) ,  성연수 (창원대학교 세라믹공학과) ,  조종호 (창원대학교 세라믹공학과)

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제안 방법

  • Pt 충의 표면 평 활도를 제 어하기 위해 증착 파워, 압력, 온도를 변화시켰으며 박막의 응력 분석을 통해 이 러한증착 변수들의 영향을 파악하였다. 최 적화된 조전에서 제조된 Pt 박막 상부에 7 nm 두께의 TiO2 seed layei을 증착하였으며 PbO 가스상 반응 sputtering을 통해 20 nm 두께의 PTO박막을 제조하였다.
  • Pt 충의 표면 평 활도를 제 어하기 위해 증착 파워, 압력, 온도를 변화시켰으며 박막의 응력 분석을 통해 이 러한증착 변수들의 영향을 파악하였다. 최 적화된 조전에서 제조된 Pt 박막 상부에 7 nm 두께의 TiO2 seed layei을 증착하였으며 PbO 가스상 반응 sputtering을 통해 20 nm 두께의 PTO박막을 제조하였다. TiO2 seed layei는 PTO의 핵생성을 위한 active sites를 증가시키는 역할을 하여 페로브스카이트상의 PTO 박막이 쉽게 생성될 수 있게 하였다.

이론/모형

  • 얇은 PTO 박막을 제조하기 위해 Zi 을 buffer layei로 하여 Pt 하부 전극충을 dc-magnetron sputtering 방법으로 증착하였다. Pt 충의 표면 평 활도를 제 어하기 위해 증착 파워, 압력, 온도를 변화시켰으며 박막의 응력 분석을 통해 이 러한증착 변수들의 영향을 파악하였다.
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