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Sentaurus Process를 이용한 도핑 공정 설계
Doping Process Design Using Sentaurus Process 원문보기

한국해양정보통신학회 2007년도 춘계종합학술대회, 2007 June 01, 2007년, pp.521 - 523  

박장군 (군산대학교 전자정보공학부) ,  정학기 (군산대학교 전자정보공학부) ,  이재형 (군산대학교 전자정보공학부) ,  정동수 (군산대학교 전자정보공학부) ,  이종인 (군산대학교 전자정보공학부)

초록
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이 연구는 Sentaurus Process를 이용하여 실리콘(Si) 웨이퍼에 각각의 불순물들의 도핑 농도를 모의실험 하여 공정 방법과 순서, 온도, 깊이에 따른 도핑 농도의 변화를 나타내었다. 입력한 값에 대한 수치를 한눈에 알아 볼 수 있으며 공정이나 깊이, 도핑 농도에 따라 불순물의 집중도와 공정 방법에 따른 소자 특성의 변화를 한눈에 알아 볼 수 있어서 Sentaurus Process를 이용한 연구를 통해 우수한 소자를 개발하는데 도움이 되리라 본다. 이 연구에서는 공정 파라미터 값의 변화에 따른 도핑 분포를 Sentaurus Process 시뮬레이션을 통하여 관찰할 것이다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • T-CAD 프로그램 중 Sentaurus Process라는 응용 프로그램을 사용하여 불순물 도핑에 대하여 분석하고자 한다. Sentaurus Process는 반도체 소자에 대한 연구에 쓰이는 프로그램으로 1D부터 3D까지 자신이 원하는 형식으로 디자인 할 수 있으며 이 연구에서는 Sentaurus Process를 이용 하여 각각의 수치를 입력함으로써 순수 실리콘 (Si) 웨이퍼에 붕소 (Boron), 안티몬 (Antimon y), 비소 (Arsenic) 롤 도핑 시킨 P-type 의 NPN Bipolar Transistor 소자를 만들어 봄으로써 입력한 공정 방법과 순서, 온도, 깊이에 해당하는 각각의 수치들을 일차원 시뮬레이션을 통해 쉽게 알아 볼 수 있다는 것을 확보 하고자 한다.
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