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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1, 2004 July 05, 2004년, pp.353 - 356
김상철 (한국전기연구원 전력반도체연구그룹) , 방욱 (한국전기연구원 전력반도체연구그룹) , 김남균 (한국전기연구원 전력반도체연구그룹) , 김은동 (한국전기연구원 전력반도체연구그룹)
This paper discribes the analysis of the I-V characteristics of 4H-SiC DiMOSFET with single epi-layer Silicon Carbide has been around for over a century. However, only in the past two to three decades has its semiconducting properties been sufficently studied and applied, especially for high-power a...
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