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전력 반도체의 개발 동향
Trends of Power Semiconductor Device 원문보기

한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17, 2004 Nov. 11, 2004년, pp.3 - 6  

윤종만 (페어차일드 코리아 반도체(주) Device Concept & Technology Development)

초록
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반도체 디자인, 공정 기술 및 패기지 기술의 발달에 따라 전력용 반도체는 소형화, 고성능화, 지능화하고 있다. 고속 구동이 용이한 때문에 MOSFET이나 IGBT등의 MOS-gate형 전력 반도체의 발전이 두드려지며, trench, charge balance, NPT 기술등이 패키지 기술과 더불어 이를 위한 주요 기술이 될것으로 보인다. SiC나 GaN등의 Wide Band Gap 물질들을 사용한 차세대 전력 반도체 연구도 활발히 진행되고 있다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Power semiconductor devices are being compact, high performance and intelligent thanks to recent remarkable developments of silicon design, process and related packaging technologies. Developments of MOS-gate transistors such as MOSFET and IGBT are dominant thanks to their advantages on high speed o...

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 전력반도체의 개발 경향을 MOSFET 과 IGBT등의 device 별로 살펴 보고자 한다.
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