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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서울대학교 Seoul National University |
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연구책임자 | 한민구 |
참여연구자 | 이귀로 , 최연익 , 정상구 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1993-08 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 서울대학교 Seoul National University |
등록번호 | TRKO200200014034 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 전력반도체.power MOSFET:1GBT.on-저항.Latch.Power Semiconductor device.Breakdown woltage.latch-up.on resistance. |
500 V 이상의 전압과 5 A 이상의 전류를 제어할 수 있는 전력 반도체 소자 (power semiconductor device)를 설계하고 제작하였다. 500 V 이상의 breakdown 전압을 갖는 power MOSFET 과 고압 집적회로에 응용이 가능한 Lateral IGBT의 설계를 2-D simulation 에 의하여 정립하고 새로운 단위 공종을 개발하여 소자의 특성을 향상시켰다. 전력반도체의 특성에서 문제가되는 on저항 Latch현상, breakdown 전압, Quasi-saturation 등을 수치해석과 실험으로 규
A novel power semiconductor device, of which the breakdown voltage and current execeeds 500 V and 5 A respectively, have been designed and fabricated. the 500 V range power MOSFETs and lateral IGBT suitable for power integrated circuits have been designed by 2-D simulation and device characteristics
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