[논문]금속 코팅을 통한 다양한 반도체/금속 나노선 제작

박병준; 김경환; 김현석; 조경아; 김진형; 이준우; 김상식

금속 코팅을 통한 다양한 반도체/금속 나노선 제작
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박병준 (고려대학교 전기공학과) , 김경환 (고려대학교 전기공학과) , 김현석 (고려대학교 전기공학과) , 조경아 (고려대학교 전기공학과) , 김진형 (고려대학교 전기공학과) , 이준우 (고려대학교 전기공학과) , 김상식 (고려대학교 전기공학과)

Various Semiconductor/Metal structured nanowires were synthesized from the simple thermal annealing of ball-milled compound powders and the thermal evaporation of metals. Their structural properties were investigated by Scanning Electron Microscopy(SEM) and Transmission Electron Microscopy(TEM), Energy Dispersive X-ray spectroscopy(EDX). Depending on the type of metals and the material of nanowires, uniform somiconductor/metal nanowires(GaN/Al, GaN/Ag) or isolated metal particles on semiconductor nanowires$(SnO_2/Ti,\;Si/Ti)$ were formed on the surface of nanowires.

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문제 정의

따라서 이러한 문제를 해결하기 위해서 본 연구에서는 열증착법을 통해 여러 반도체 나노선에 금속 코팅을 하였다. 기상증착법을 통해 합성된 Ga N, SnO₂, Si등의 나노선을 바탕으로 표면에 열증착법을 이용하여 금속을 코팅하였다.

제안 방법

나노선 합성 후, 열증착법을 이용하여반도처】/금속 구조의 나노선을 제작하였다. 먼저 G aN 나노선의 경우, ball mill 처리 과정을 거친 Ga N powder(Aldrich, 99.
이렇게 제작된 금속 코팅 나노선은 SEM(HIT ACHI, S-4700), EDX(Energy Dispersive X-ray s pectrascopy) 및 TEM(JEOL, TEM-2010, Philips CM-300)을 통하여 morphology 확인 및 성분분석을 하였다.

대상 데이터

그 후 tube furnace 의 온도를 1380笆로 올린 후, 기상합성 하였다. Sn 02 나노선 합성은 볼밀장치로 연마한 SnO₂ powd er(Aldrich, 99.9%, -325mesh)를 알루미나 보트에넣은 후, 고순도의 1350©, Ar gas 분위기에서 합성하였다";
증착금속으로는 Al, Ti, Ag를 사용했으며, 보트는 금속에 따라, 텅스텐과 몰리브덴을 이용하였다. 챔버 내부는 1.

이론/모형

GaN, SnO₂, Si 나노선은 기상합성법을 통해 성장시켰다. 나노선 합성 후, 열증착법을 이용하여반도처】/금속 구조의 나노선을 제작하였다.
코팅을 하였다. 기상증착법을 통해 합성된 Ga N, SnO₂, Si등의 나노선을 바탕으로 표면에 열증착법을 이용하여 금속을 코팅하였다.
기상합성법으로 GaN, SnO₂, 그리고 Si, 나노선을 합성하고 합성된 나노선들을 열증착법을 이용하여 금속을 코팅하였다. GaN 나노선의 경우는 균일하게 금속이 나노선 주위를 둘러싸면서 코팅 되었으나, SnG와 Si 나노선의 경우는 코팅이 제대로 이루어지지 않았다.
나노선에 금속코팅 할 시에는, 열증착법을 이용하였다. 증착금속으로는 Al, Ti, Ag를 사용했으며, 보트는 금속에 따라, 텅스텐과 몰리브덴을 이용하였다.

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