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제안 방법
- 단일 Si 나노선에 대한 광전류 특성을 확인하기 위해 325 nm 파장의 He-Cd 레이져와 633 nm의 He-Ne 레이져를 이용하여, Si 나노선의 광전류 현상을 확인 하였다.
- 따라서 본 연구에서는 먼저 기상합성법을 통해 합성한 실리콘 나노선의 구조적 특성을 Scanning Electron Microscopy(SEM), X-ray diffraction(XRD), 니igh resolution Transmission Electron Microscopy(HRTEM)을 통해 분석하고, 단일 Si 나노선에 대한 광전류 특성을 325nm 파장의 He-Cd 레이져와 633nm의 니e-Ne 레이져를 이용하여 확인하였다
- 본 연구에서는 20시간 ball-mill 처리된 SiO 분말을 이용하여 기상합성법을 통해 단결정의 고순도 Si 나노선을 합성하고, 합성된 나노선을 이용하여 2단자의 Au/Ti 전극을 광 사진 식각공정으로 형성하였다. 단일 Si 나노선의 2단자패턴을 통해 측정한 I-V 특성은 비선형적으로 나타나는 것을 확인하였고, 이것은 Si 나노선과 Ti 전극사이에 schottky 장벽이 존재하기 패문일 것으로 여겨진다.
- 그림 (a)는 325 nm 파장의 He-Cd 레이져에 대한 Si 나노선의 광전류 특성이고, 그림 (b)는 633 nm의 He-Ne 레이져를 이용하여 확인한 Si 나노선의 광전류 특성이다. 상온, 상압에서 소스-드레인 사이의 전압을 3 V로 하고 레이져를 100초 마다 on/off를 반복하여 광전류 현상을 확인하였다. 그림에서 보는 것과 같01 응답속도가 매우 빠르게 나타나는 것을 확인하였다.
대상 데이터
- 형성한 Z1 림이다. 광사진식각공정을 이용하여 두께가 대략 70-80 nm정도, 길이가 10 何정도의 나노선에 3 ㎛ 간격의 금속 전극을 형성하였다. 그림 (b)는 단일 Si 나노선의 I・V특성으로 그 모습이 비선형적으로 나타나는 것을 확인 하였고, 이것은 Si 나노선과 Ti 전국사이에 schottky 장벽이 존재하기 때문일 것으로 여겨진다.
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