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문제 정의
- 100 ℃근처에서는 술러라가 졸(sol) 상태갸 돠어서 슬러리로서의 효용성은 떨어졌으나 슬러리의 온도 의존성을 조사하기 위해 실험을 진행하였다. 일반적인 CMP 공정에서는 183.
- 하지만, 당시에는 현상학적인 결과먄을 보고하였고 슬러리 온도가 증가함에 따라서 연마율이 증가하는 원인에 대햔 설명이 부족했던 것이 사실이다[1]. 따라서, 본 연구에서는 슬러리 온도 변화에 의해서 TEOS(tetra-ethyl ortho-silicate) 산화막의 표연 조성 변화를 조사함으로써 그 원인을 밝히고자 한다. 또한 이러한 연구결과를 바탕으로 TEOS 산화막의 연마 메커니즘을 규명하여 TEOS 산화막의 연마 특성 개선을 도모하고자 한다.
- 따라서, 본 연구에서는 슬러리 온도 변화에 의해서 TEOS(tetra-ethyl ortho-silicate) 산화막의 표연 조성 변화를 조사함으로써 그 원인을 밝히고자 한다. 또한 이러한 연구결과를 바탕으로 TEOS 산화막의 연마 메커니즘을 규명하여 TEOS 산화막의 연마 특성 개선을 도모하고자 한다.
- 본 연구에서는 슬러리 온도를 조절하면서 TEOS 샨화악을 CMP 공정 수행하였을 때에 슬러리 온도가 증가함에 따른 연마율 증가의 원인에 대해 조사하였다. 슬러리 온도가 증가하면서 슬러리 내에 OH- 이온들이 증가하여 TEOS 산화막 표면으로 침투하고 H-C-O-Si 결합을 생성하게 된다.
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