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이온빔 특성에 따른 FIB-Sputtering 가공 특성 연구
Analysis on FIB-Sputtering process using the Gas-assisted etching 원문보기

한국정밀공학회 2006년도 추계학술대회 논문집, 2006 Oct. 18, 2006년, pp.533 - 534  

최헌종 (한국생산기술연구원) ,  강은구 (한국생산기술연구원) ,  최병열 (한국생산기술연구원) ,  홍원표 (한국생산기술연구원) ,  이석우 (한국생산기술연구원)

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문제 정의

  • 본 논문에서는 DVD 및 바이오 칩 금형 등에서 요구되어지고 있는 2.5D 수준의 부품 가공을 위한 기반 기술연구를 목적으로 하고 있으며, 기초연구로서 마이크로 형상의 미세화를 진행하고자 한다.
  • 본 논문에서는 미세 금형 가공을 수행하기 위한 기초연구로서 GAE 적용시와 비 적용시에 대한 FIB-Sputtering 공정 연구를 수행하였다. 특히, 패턴의 미세화, Burr 제거 기술 및 수율향상에 관한 연구를 수행하였으며, 다음과 같은 결론을 얻었을 수 있었다.
  • 본 실험은 GAE를 사용하지 않을 경우 FIB-Sputtering 가공 특성 분석 실험 및 결과 분석에 대한 목적으로 수행하였다.
  • 이애 본 논문에서는 FIB-Sputtering 시 문제가 되고 있는 재중착 문제를 해결하기 위한 대안으로 현재 연구되고 있는 보조가스(Gas-Assisted Etching)주입에 관한 가공 특성을 분석하고자 하였으며, FIB-Sputtering의 패턴 미세화 및 가공 수율에 대한 연구를 수행하고자 하였다.
  • 하지만 FIB의 가장 큰 단점으로 낮은 생산성이 지적되고 있으며, 이를 극복할 수 있는 방안으로 금형 제작과 같은 대량생산 가공체제를 갖추거나 또한 부품 가공시 기존의 기계가공 및 전기화학적 가공기술을 통한 1차 가공 후 미세가공 및 표면가공 분야에 적용 가능할 것으로 판단된다. 이에 본 연구에서는 FIB의 장점인 10mm이하의 집속이온빔을 이용하여 나노 분해능 가공을 실현하고 대량생산화를 추구하기위한 기반기술을 확보하고자 미세 금형 제작에 관한 기초 연구를 수행하고자 한다.
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