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NTIS 바로가기대한전기학회 2002년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문, 2002 Nov. 09, 2002년, pp.141 - 144
이은구 (인하대학교 전자과 반도체연구실) , 이동렬 (부천대학 정보통신과) , 김태한 (인하대학교 전자과 반도체연구실) , 김철성 (인하대학교 전자과 반도체연구실)
The method of the analysis of the base Gummel number of the PNP BJT(Bipolar Junction Transistor) for integrated circuits based upon the semiconductor physics is proposed and the method of calculating the doping profile of the base region using process conditions is presented. The transistor saturati...
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