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NTIS 바로가기대한전기학회 1989년도 추계학술대회 논문집 학회본부, 1989 Nov. 25, 1989년, pp.497 - 501
함성호 (한국과학기술원 전기및전자공학과) , 유태경 (금성사 중앙연구소) , 조규석 (한국과학기술원 전기및전자공학과) , 권영세 (한국과학기술원 전기및전자공학과)
The mechanisms of the meltback etching and regrowth processes are studied experimentally. The method to reduce the anisotropy and elliminate the gallium islands in the processes are developed. It is possible to fabricate the GaAs optical devices by the use of the process....
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