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제안 방법
- 모드잠금된 Ti:sapphire 레이저의 파장가변영역 중 BBO crystal 로 인해 에너지가 두 배가 되었을 때 ZnO 나노선의 밴드갭 근처로 될 파장(720 nm~760 nm)만 선택해서 실험을 수행하여, carrier dynamics 의 파장에 따른 변화를 측정하였다.
- 우리는 펨토초 펌프-프로브 방법을 이용하여 ZnO 나노선에 여기된 전자의 소멸 과정을 연구하였다. 극초단 펄스 레이저는 모드잠금된 Ti:sapphire 레이저를 이용하였다.
- 이번에 수행한 실험은 극초단 펄스 레이저를 이용하여 ZnO 나노선의 carrier relaxation dynamics 를 측정하였다. 실험에 사용한 샘플은 유기 금속 화학 증착법(MOCVD, metal organic chemical vapor deposition) 방식을 이용하여 AI2O3의 기판위에 500℃에서 ZnO를 1시간동안 성장시켜 35-40 nm의 지름, 길이 약 1um 의 ZnO 나노선이 성장된 샘플을 사용하였다.
대상 데이터
- 우리는 펨토초 펌프-프로브 방법을 이용하여 ZnO 나노선에 여기된 전자의 소멸 과정을 연구하였다. 극초단 펄스 레이저는 모드잠금된 Ti:sapphire 레이저를 이용하였다. 모드잠금된 Ti:sapphire 레이저는 파장가변영역이 700 nm~870 nm 이고 스펙트럼 펄스폭은 90 fs, repetition rate 는 90 MHz 였다.
- 넓은 밴드갭을 가지고 있는 ZnO 나노선에서 free carrier relaxation dynamics 를 측정하기 위해 모드잠금된 Ti:sapphire 레이저에서 나오는 700nm 파장영역의 빔을 BBO crystal 에 투과시켜 ZnO 나노선의 밴드갭에너지(3.32 eV) 보다 큰 350 nm(3.54 eV) 파장영역의 빔을 만들어 실험에 사용하였다.
- 이번에 수행한 실험은 극초단 펄스 레이저를 이용하여 ZnO 나노선의 carrier relaxation dynamics 를 측정하였다. 실험에 사용한 샘플은 유기 금속 화학 증착법(MOCVD, metal organic chemical vapor deposition) 방식을 이용하여 AI2O3의 기판위에 500℃에서 ZnO를 1시간동안 성장시켜 35-40 nm의 지름, 길이 약 1um 의 ZnO 나노선이 성장된 샘플을 사용하였다.(3)
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