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제안 방법
- DC current 1 A, RF power 200 W를 중첩 인가하여 IZO 투명전극(면저항 ~30 Ω/□)을 shadow 마스크를 이용하여 유연성 PC 기판 위에 가열 없이 증착하여 패터닝된 전극을 형성하였다. 비교 실험을 위하여 결정질 ITO 박막을 Glass 위에 패터닝 (면저항 ~10 Ω/□, Asahiglass Fine Techno co.
- 초기진공도를 low 10-5 Torr 이하로 배기하고, 공정진공도는 약 5×10-3 Torr로 유지하였다. DC current를 1 A로 고정하고 0 W에서 300 W 범위의 RF power, 그리고 산소 유량비와 기판온도를 변화시켰다.
- IZO 박막의 두께는 surface profiler (Tencor, P-11), 전기적 특성은 4-point probe(Loresta-GP, MCP-T600), 광학적 특성은 UV/VIS/NIR Spectrophotometer(Varian, Cary5000)를 이용하여 측정하였다. 표면거칠기 관찰은 AFM(NI, SPA400)을 이용하였으며, 신뢰성 평가를 위해 반복 굽힘에 의한 전기적 변화를 관찰하였다.
- IZO/PC 기판과 ITO/glass 기판에 각각 제작된 OLED의 전류-전압-휘도 (J-V-L) 특성은 Keithley 2400 programmable source meter와 Newport 818-UV silicon photodiode을 이용하여 측정되었다.
- 본 연구에서는 박막 증착 공정 중 플라즈마에 의해 제조되는 박막의 표면 및 기판 손상을 줄이기 위해 저전압 인가가 가능한 RF 중첩형 DC 마그네트론 스퍼터링을 적용하였다.[3] 인가되는 Power와 저온범위에서의 증착온도, 산소유량비를 조절하여 IZO 박막의 전기적, 광학적 특성, 굽힘에 대한 신뢰성을 조사하였다. 그리고, PC 기판 위에 패터닝된 비정질의 IZO 투명전극을 이용하여 유연성 OLED 소자를 제작하였다.
- [3] 인가되는 Power와 저온범위에서의 증착온도, 산소유량비를 조절하여 IZO 박막의 전기적, 광학적 특성, 굽힘에 대한 신뢰성을 조사하였다. 그리고, PC 기판 위에 패터닝된 비정질의 IZO 투명전극을 이용하여 유연성 OLED 소자를 제작하였다.
- , LTD)된 기판을 사용하였다. 기판 청소를 위해서 투명전극이 패터닝된 샘플을 아세톤과 IPA에서 세척한 후, 10분간 UV-ozone 처리를 하였다. 표면세척을 마친 샘플은 5×10-8 Torr 압력 하에서 유기물 증착 기를 이용하여 다음 순서에 따라 유기물 박막을 증착하였다.
- 이후, BCP를 hole blocking층으로 10 nm 두께로 증착시켰으며, 전자수송층으로 Alq3를 40 nm 두께로 증착하였다. 마지막으로 shadow 마스크를 이용하여 1 nm 두께의 LiF와 100 nm 두께의 Al을 전자주입층과 cathod층으로 각각 증착하였다. 이때 상온에서 성장시킨 IZO 투명전극의 특성 비교를 위해 현재 OLED 양산에서 사용되는 ITO/glass 기판을 비교 샘플로 정하고 동일한 OLED를 제작하였다.
- 본 연구에서는 박막 증착 공정 중 플라즈마에 의해 제조되는 박막의 표면 및 기판 손상을 줄이기 위해 저전압 인가가 가능한 RF 중첩형 DC 마그네트론 스퍼터링을 적용하였다.[3] 인가되는 Power와 저온범위에서의 증착온도, 산소유량비를 조절하여 IZO 박막의 전기적, 광학적 특성, 굽힘에 대한 신뢰성을 조사하였다.
- 0×10-4 Ω·cm의 비저항, 96%의 가시광 투과도를 나타냈다. 본 연구의 IZO 공정조건을 적용하여, 비가열의 PC 기판위에 IZO 박막을 증착한 경우와 결정질의 ITO 박막을 적용한 경우의 OLED 특성을 비교분석하였다. 그 결과 IZO 박막을 이용한 OLED 소자가 최대 외부양자효율ηext=13.
- 마지막으로 shadow 마스크를 이용하여 1 nm 두께의 LiF와 100 nm 두께의 Al을 전자주입층과 cathod층으로 각각 증착하였다. 이때 상온에서 성장시킨 IZO 투명전극의 특성 비교를 위해 현재 OLED 양산에서 사용되는 ITO/glass 기판을 비교 샘플로 정하고 동일한 OLED를 제작하였다.
- IZO 박막의 두께는 surface profiler (Tencor, P-11), 전기적 특성은 4-point probe(Loresta-GP, MCP-T600), 광학적 특성은 UV/VIS/NIR Spectrophotometer(Varian, Cary5000)를 이용하여 측정하였다. 표면거칠기 관찰은 AFM(NI, SPA400)을 이용하였으며, 신뢰성 평가를 위해 반복 굽힘에 의한 전기적 변화를 관찰하였다.
대상 데이터
- 먼저 40 nm 두께의 NPB와 6 wt.%의 Ir(ppy)3가 도핑된 30 nm 두께의 CBP를 정공수송층과 발광층으로 각각 증착하였다. 이후, BCP를 hole blocking층으로 10 nm 두께로 증착시켰으며, 전자수송층으로 Alq3를 40 nm 두께로 증착하였다.
- RF 중첩형 DC 마그네트로 스퍼터링을 이용한 저온공정을 통해 비정질 IZO 박막을 증착하였다. IZO 박막의 전기적, 광학적 특성은 기판을 가열하지 않은 경우 약 3.
- -10wt% ZnO 타겟(400×90㎟)을 이용하여 RF 부가형 DC 마그네트론 스퍼터링법으로 150 nm 두께의 IZO 박막을 T-S 거리 80 mm에서 증착하였다. Si-wafer (100), PET, PC, slide glass를 기판으로 사용하였으며, 아세톤-이온교환수-알콜-이온교환수를 바꾸어가며 초음파 세척하였다. 초기진공도를 low 10-5 Torr 이하로 배기하고, 공정진공도는 약 5×10-3 Torr로 유지하였다.
- 본 연구에서는 In2O3-10wt% ZnO 타겟(400×90㎟)을 이용하여 RF 부가형 DC 마그네트론 스퍼터링법으로 150 nm 두께의 IZO 박막을 T-S 거리 80 mm에서 증착하였다. Si-wafer (100), PET, PC, slide glass를 기판으로 사용하였으며, 아세톤-이온교환수-알콜-이온교환수를 바꾸어가며 초음파 세척하였다.
- DC current 1 A, RF power 200 W를 중첩 인가하여 IZO 투명전극(면저항 ~30 Ω/□)을 shadow 마스크를 이용하여 유연성 PC 기판 위에 가열 없이 증착하여 패터닝된 전극을 형성하였다. 비교 실험을 위하여 결정질 ITO 박막을 Glass 위에 패터닝 (면저항 ~10 Ω/□, Asahiglass Fine Techno co., LTD)된 기판을 사용하였다. 기판 청소를 위해서 투명전극이 패터닝된 샘플을 아세톤과 IPA에서 세척한 후, 10분간 UV-ozone 처리를 하였다.
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