[논문]SIMS을 이용한 Si/Ge MultiLayer 두께 측정 방법

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이은경 (한국표준과학연구원 나노소재측정센터) , 장종식 (한국표준과학연구원 나노소재측정센터) , 김경중 (한국표준과학연구원 나노소재측정센터) , 문대원 (한국표준과학연구원 나노바이오융합센터)

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본 연구에서는 SIMS 깊이분포도에서 계면의 정확한 위치와 두께를 측정하기 위한 방법을 개발하고자 하였다. 이를 위하여 국제공동분석에 사용된 것과 동일한 두 종의 Si/Ge 다층 박막에 대해 한국표준과학연구원에서 개발된 조성깊이분포도 전환법을 이용하여 본래의 깊이분포도를 조성깊이분포도로 변환하고 조성이 50 %가 되는 점을 계면으로 정의하여 다층박막 계면의 위치를 정확히 정함으로써 각 층의 두께를 측정할 수 있었다.

본 연구에서는 SIMS 깊이분포도에서 계면의 정확한 위치와 두께를 측정하기 위한 방법을 개발하고자 하였다. 이를 위하여 국제공동분석에 사용된 것과 동일한 두 종의 Si/Ge 다층 박막에 대해 한국표준과학연구원에서 개발된 조성깊이분포도 전환법을 이용하여 본래의 깊이분포도를 조성깊이분포도로 변환하고 조성이 50 %가 되는 점을 계면으로 정의하여 다층박막 계면의 위치를 정확히 정함으로써 각 층의 두께를 측정할 수 있었다. 한 편 1 keV에서 7.

이를 위하여 국제공동분석에 사용된 것과 동일한 두 종의 Si/Ge 다층 박막에 대해 한국표준과학연구원에서 개발된 조성깊이분포도 전환법을 이용하여 본래의 깊이분포도를 조성깊이분포도로 변환하고 조성이 50 %가 되는 점을 계면으로 정의하여 다층박막 계면의 위치를 정확히 정함으로써 각 층의 두께를 측정할 수 있었다. 한 편 1 keV에서 7.5 keV까지 입사이온빔의 에너지를 변화시킴으로써 에너지가 낮아짐에 따라 층의 두께를 정확히 측정할 수 있음을 관찰하였다.

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