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[국내논문] $SnO_2$박막 성장에 따른 Si 기판과 박막사이의 계면에 관한 연구
A study of between substrate and $SnO_2$ thin films grown at various condition 원문보기

한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21, 2008 Nov. 06, 2008년, pp.255 - 255  

정진 (조선대학교) ,  신철화 (조선대학교) ,  오석균 (한국기초과학지원연구원)

초록
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화학 수송법을 이용하여 양질의 $SnO_2$ 박막을 성장 시켰다. 성장 된 $SnO_2$ 박막은 계면에서 결합정도가 많은 비정질 출발하여 결함정도가 비교적 작은 단결정된 상태로 성장 되었고, 첨가가스의 양, 챔버 내 압력, 수송 가스의 양, 기판과 박막사이의 열평형 상태 등이 계면의 입자의 크기와 단면의 모양, 박막의 결정성 등에 영향을 주었다. 그리고 성장된 박막의 형태는 성장온도가 높아짐에 따라서 $SnO_2$ 박막의 계면부문에서 비정질 부분과 박막 표면의 불분명한 격자 부분이 변화되는 것이 TEM 사진으로 관찰 되었고, 챔버내 압력이 변화됨에 따라서 $SnO_2$ 박막 표면의 전도도등이 변화되는 것이 관찰 되었다.

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