[논문]<tex> $Si_3N_4$</tex> trap layer의 두께에 따른 charge trap 특성

정명호; 김관수; 박군호; 김민수; 정종완; 정홍배; 조원주

$Si_3N_4$ trap layer의 두께에 따른 charge trap 특성
Charge trap characteristics with $Si_3N_4$ tmp layer thickness 원문보기

정명호 (광운대학교) , 김관수 (광운대학교) , 박군호 (광운대학교) , 김민수 (광운대학교) , 정종완 (세종대학교) , 정홍배 (광운대학교) , 조원주 (광운대학교)

The charge trapping and tunnelling characteristics with various thickness of $Si_3N_4$ layer were investigated for application of TBE (Tunnel Barrier Engineered) non-volatile memory. We confirmed that the critical thickness of no charge trapping was existed with decreasing $Si_3N_4$ thickness. Also, the charge trap centroid x and charge trap density were extracted by using CCS (Constant Current Stress) method. Through the optimized thickness of $Si_3N_4$ layer, it can be improve the performance of non-volatile memory.

* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

본 논문에서는 Si3N馬의 두께에 따른 cha^e trap특성믈연구하였으며, 이豊 바탕으로 비휘발성 메모리 소자의 tr&p층과 tunnel oxide에 적용하기 위한 최적의 ShM층의두께에 관해 연구하였다.
이 논문은 지식경제부 주관 차세대 테라비트급 비 휘발성 메모리 개발 사업의 지원에 의해 연구되었믐.

제안 방법

window특성을 나타내고 았다. +5 V에서 -5 V의 전압을 인가했을 때의 hysteresis곡선을 통하여 charge trap 특성을 평가하였다. 그림 2의 I・V특성과 마차가지로 Si3N₄ 층의 두께가 5 nni에서 4 nm로 감소할 때 memory window 가 급격하게 감소하였으며, 이를 통하여, &3N₄층의 두께가 4 nm이하에서는 charge trap 현상이 거의 발생하지 않는 것을 알 수 있다.
연구하였다. Si3N₄ 의 두께가 감소함에 따라 급격하게 터널링 전류가 층 가하며, charge trap이 발생하지 않는 특성을 확인하였다. 이는 品版의 두께의 감소에 따른 乂硕의 위치가 SiCh층과 Si3N₄ 의 계면에 가까워지며, 일정 두께 이하에서는 SiCh 층과 W3N₄의 계면에 존재하는 trapOl 전체 절연막의 trap에 관여하기 때문이다.
®N₄층의 두께에 따른 charge trap 튺성을 연구하였다. Si3N₄ 의 두께가 감소함에 따라 급격하게 터널링 전류가 층 가하며, charge trap이 발생하지 않는 특성을 확인하였다.
시켰다. 그 후 LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Dep毎itig) 흘이용하여 6.7 nm의 必卬층읆 72(X0에서 증착하였다* 이 패 두께에 따른 ShM흥의 charge trap 특성을 평가하기 위해 SGN, 층을 6, 5, 4, 3, 2 1皿로 식각하였다. Si3M층의 식각 공정은 BOE (H₂O : HF X 30 :!)릂 이용하였다.

대상 데이터

7 nm의 必卬층읆 72(X0에서 증착하였다* 이 패 두께에 따른 ShM흥의 charge trap 특성을 평가하기 위해 SGN, 층을 6, 5, 4, 3, 2 1皿로 식각하였다. Si3M층의 식각 공정은 BOE (H₂O : HF X 30 :!)릂 이용하였다. BOE 를 이용한 &3N₄의 식각 시 etch 商e은 6 A/min이었으며, ellipsometerS 이용한 두께 측정 결과 >1의 오차가 없음을 확인 하였다* 마지막으로 e-beam evaporator! 이용하여 150 nm의 Ai을 증착한 후, phot이ithography공정을 통하여 310 * 230 卩【수의 전극을 형성 하였다.
그림 4. Si3N₄층의 두께에 파른 MOS-capacitor2J CCS특성.
BOE 를 이용한 &3N₄의 식각 시 etch 商e은 6 A/min이었으며, ellipsometerS 이용한 두께 측정 결과 >1의 오차가 없음을 확인 하였다* 마지막으로 e-beam evaporator! 이용하여 150 nm의 Ai을 증착한 후, phot이ithography공정을 통하여 310 * 230 卩【수의 전극을 형성 하였다. 전기적 특성 및 분석에는 HP4156B와 HP4284A장버틇 이용하였다,

성능/효과

의 I-V 특성을 나타내고 있다. SEM층의 두께가 얇아짐에 따라 터널링 전류가 증가하는 것을 확인 할 수 얐다. 톡히 品卬층의 두께가 5 nm에서 4 nm로 감소핳 때 터널링 전畀가 刁게 증가하는 것을 확인할 수 있다*
33 nm로 SiO?층과 &3N₄층의 계면에 거의 근접해 있는 것을 알 수 있다. 따라서 糸卬의 두께가 4 nm이하에서는 SiCh층과 踞卬층의 계면에 존재하는 trap 만이 전체 절연막의 trap에 관여한다는 것을 알 수 있으며, 이로써 &3N₄증의 두께가 5 nm에서 4 nm로 감소할 때 급격하게 증가하는 터널링 전류와 급격하게 감소하는 C-V memory window현상을 설명 할 수 있다.
이는 品版의 두께의 감소에 따른 乂硕의 위치가 SiCh층과 Si3N₄ 의 계면에 가까워지며, 일정 두께 이하에서는 SiCh 층과 W3N₄의 계면에 존재하는 trapOl 전체 절연막의 trap에 관여하기 때문이다. 본 연구률 통해 비휘발성 메모리 소자의 trap층과 터널링 절연막으로 적용되는 %冲층을 최적화할 수 있으며, 소자의 고성능화를 달성할 수 있다.

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 논문명, 저널/프로시딩명, 저자 , 발행년, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, 발행기관 관리번호, 논문명, 대등논문명, 저자 , 저널/프로시딩명, 발행기관, 발행년, 발행언어, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, ISBN, ISSN, 주제분야, 키워드, 초록(한글), 초록(영문), 저자(소속기관)
저장형식	Text(ASCII format) Excel format RefWorks Direct Export RIS format (for Reference Manager, ProCite, EndNote), Scholar's Aids, Mendeley
메일정보	받는사람 (필수) @ 보내는사람 (선택) @ 제목 내용 KISTI 검색결과 이메일 서비스
안내	총 건의 자료가 검색되었습니다. 다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000) 검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다. 데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요) 다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다. 파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오. ~ Text(ASCII format) Excel format

연합인증

$Si_3N_4$ trap layer의 두께에 따른 charge trap 특성
Charge trap characteristics with $Si_3N_4$ tmp layer thickness 원문보기

Abstract ▼ AI-Helper

AI 본문요약
AI-Helper

문제 정의

제안 방법

대상 데이터

성능/효과

이 논문을 인용한 문헌

관련 콘텐츠

원문 보기

이 논문과 함께 이용한 콘텐츠

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

선택된 텍스트

연합인증

$Si_3N_4$ trap layer의 두께에 따른 charge trap 특성 Charge trap characteristics with $Si_3N_4$ tmp layer thickness 원문보기

Abstract ▼ AI-Helper

AI 본문요약 엑셀 다운로드 AI-Helper

문제 정의

제안 방법

대상 데이터

성능/효과

이 논문을 인용한 문헌

관련 콘텐츠

원문 보기

이 논문과 함께 이용한 콘텐츠

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

선택된 텍스트

$Si_3N_4$ trap layer의 두께에 따른 charge trap 특성
Charge trap characteristics with $Si_3N_4$ tmp layer thickness 원문보기

AI 본문요약
AI-Helper