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낸드 플래시 메모리 시스템의 Lifetime 증대를 위한 관리 방법 설계
NAND Flash Memory System Management for Lifetime Extension 원문보기

한국정보처리학회 2019년도 춘계학술발표대회, 2019 May 10, 2019년, pp.23 - 25  

박이현 (한국외국어대학교 컴퓨터.전자시스템공학부) ,  이재빈 (한국외국어대학교 컴퓨터.전자시스템공학부) ,  김건명 (한국외국어대학교 컴퓨터.전자시스템공학부) ,  임승호 (한국외국어대학교 컴퓨터.전자시스템공학부)

초록
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낸드 플래시 메모리(NAND Flash Memory)는 컴퓨터 시스템의 대용량 저장장치를 위한 소자로써, 대용량화의 주요 원인으로는 메모리 셀(Cell) 당 저장할 수 있는 비트 수를 증가시킴으로써 집적도를 증가시킨 것이다. 그러나, 이러한 집적도의 증가는 에러의 증가를 가져와서 저장장치에서 가장 중요한 신뢰성이 급격하게 저하하는 요인이며, 저장장치의 생명주기(Lifetime)을 감소시키게 된다. 기존에 낸드 플래시 메모리 저장장치의 Lifetime을 증대시키기 위해서 P/E cycle을 고려하여 데이터 영역의 일부를 점점 더 ECC 영역으로 변경시키는 방식을 적용한 바가 있다. 이러한 방식은 데이터 영역의 감소로 인한 저장장치 내에서 관리되는 호스트-플래시 간 데이터 관리 크기의 미스매치로 인한 여러 가지 오버 헤드를 생성한다. 본 연구에서는 P/E cycle에 따른 데이터 영역의 ECC 영역으로의 전환을 통한 Lifetime을 증가시키는 방식에 있어서, 오버헤드를 줄이기 위한 캐쉬 관리 구조 및 매핑 관리 구조에 대한 설계를 진행하였다. 이러한 설계를 낸드 플래시 메모리 기반 저장장치에 적용할 경우, LifeTime을 증대시키기 위해서 ECC를 데이터 영역으로 확장하는 방식을 사용할 때 저하될 수 있는 일반 읽기 및 쓰기의 성능 저하를 어느 정도 감소시켜줄 수 있을 것으로 기대한다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 그러나 이러한 방식은 기존의 데이터 영역에 저장되는 데이터의 파편화를 가져올 수 있으며 이는 연산의 오버헤드를 발생시킨다. 본 논문에서는 데이터 영역의 파편화에 따른 연산 오버헤드를 감소시켜줄 수 있는 파편화 데이터 영역의 캐싱 관리 방법과 플래시 메모리 저장 관리 방법에 대한 설계를 진행하였다. 이러한 설계를 적용함으로써 P/C cycle 대비 ECC 영역의 증가로 인한 데이터 연산의 파편화 오버헤드를 감소시킬 수 있으며, 저장장치의 수명 연장과 동시에 성능 감소를 최소화시킬 수 있을 것으로 기대한다.
  • 이러한 방식은 ECC 영역의 증대로 인해서 Lifetime은 증가하지만, 데이터 영역의 감소로 인한 저장장치 내에서 관리되는 호스트-플래시 간 데이터 관리 크기의 미스매치로 인한 여러 가지 오버헤드를 생성한다. 본 연구에서는 P/E cycle에 따른 데이터 영역의 ECC 영역으로의 전환을 통한 Lifetime을 증가시키는 방식에 있어서, 오버헤드를 줄이기 위한 캐쉬 관리 구조 및 매핑 관리 구조에 대한 설계를 진행하였다.
  • 본 연구에서는 P/E cycle이 증가할수록 에러 복원확률을 높이기 위해서 페이지의 데이터 영역을 점점 줄이고, ECC 영역을 점점 증대하는 방식의 낸드 플래시 생명 주기 관리 방법에 대한 시스템 설계를 진행하였다. 컴퓨터 시스템에서 호스트와 저장장치 간의 데이터 읽기/쓰기는 일반적으로 정의된 크기 단위 혹은 크기 단위의 배수로 읽기/쓰기 연산이 발생하며, 이 크기는 호스트-저장장치 간의 연산뿐만 아니라 저장장치 내부에서의 연산의 효율성을 위해서 낸드 플래시 메모리의 페이지 크기와 같거나 정수배로 고정된다.
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