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제안 방법
- 기판온도는 Room Temperature, 300T. 6000분위기에서 증착하였고, 공정압력은 3mTorr, 5mTorr, 7mTorr, lOmTorr 분위기에서 실험하였다. 증착된 TiO2 박막은 Anatase 결정성장을 위해 550X:애서 5시간동안 열처리를 하였다.
- se 구조의 TiO? 박막을 제작하였다. RF Magnetron Sputter 장비의 기판과 타겟 사이의 거리는 7cm로 유지하고 MFC controllere 이용하여 반응가스 Ar의 양을 wcm단위로 조절하였다.
- RF Power와 Ar가스는 각각 120W와 15sccm로 고정하고 공정압력과 기판온도를 달리하여 TK)2박막을 증착하였다. 기판온도는 Room Temperature, 300T.
- TiO2 타겟(2인치, 원형)을 사용하였으며, Ar 가스를 Chamber 내에 주입하여 플라즈마를 형성시키고, Target 표면의 불순물을 제거하기 위하여 15뿐간 pFA$put代ring을 행하였다. RF Power와 Ar가스는 각각 120W와 15sccm로 고정하고 공정압력과 기판온도를 달리하여 TK)2박막을 증착하였다.
- 이용하였다. X-Ray 회절분석은 CuKa 타겟으로 40kV 20mA 로 측정하였다. 또한 SEM(HUTACHI, SY700)오보 증착된 TiO2 박막의 표면 미세구조를 관찰하였다.
- 기판온도가 RT일 때는 증착를이' 현저하게 떨어져 기판으로 사용된 Si의 회절 peak의 강도가 증가 하였으며, 기판온도가 6000이상일때는 기판의 온도가 박앆의 결정성장에 영향을 미쳐 rutile (110) 면이 성장하였다, Anatase 결정구조의 TiO2 박학을 제작하기 위해서는 증착과정에서 박막의 결정구조에 영향을 미치지 얂기 위해서 기판 온도는 300C로 고정하여 실험을 진행하였다.
- X-Ray 회절분석은 CuKa 타겟으로 40kV 20mA 로 측정하였다. 또한 SEM(HUTACHI, SY700)오보 증착된 TiO2 박막의 표면 미세구조를 관찰하였다.
- 본 연구에서는 RF 스퍼터링장비를 이용하여 TiO2 박막읊 제조하고 TiO2 박악의 겲정구조昼 분석하였다.
- 6000분위기에서 증착하였고, 공정압력은 3mTorr, 5mTorr, 7mTorr, lOmTorr 분위기에서 실험하였다. 증착된 TiO2 박막은 Anatase 결정성장을 위해 550X:애서 5시간동안 열처리를 하였다.
대상 데이터
- 본 실헝에서는 RF Magnetron Sputter장비를 사용하여 antse 구조의 TiO? 박막을 제작하였다. RF Magnetron Sputter 장비의 기판과 타겟 사이의 거리는 7cm로 유지하고 MFC controllere 이용하여 반응가스 Ar의 양을 wcm단위로 조절하였다.
- 제작된 Ti6박막의 구조 및 결정성을 분석하기 위해서 XRD(Rigale)를 이용하였다. X-Ray 회절분석은 CuKa 타겟으로 40kV 20mA 로 측정하였다.
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