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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집 Vol.22, 2009 Nov. 12, 2009년, pp.51 - 51
강이구 (극동대학교 컴퓨터정보표준학부) , 정헌석 (극동대학교 컴퓨터정보표준학부) , 김범준 (극동대학교 컴퓨터정보표준학부) , 이용훈 (극동대학교 컴퓨터정보표준학부)
In this paper, we proposed GaN trench Static Induction Transistor(SIT). Because The compound semiconductor had superior thermal characteristics, GaN and SiC power devices is next generation power semiconductor devices. We carried out modeling of GaN SIT with 2-D device and process simulator. As a re...
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