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[국내논문] 전해수를 이용한 실리콘 웨이퍼 표면의 금속오염 제거
A Study on the removal of Metallic Impurities on Si-wafer using Electrolyzed Water 원문보기

한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 전자세라믹스 센서 및 박막재료 반도체재료 일렉트렛트 및 응용기술, 2000 Apr. 28, 2000년, pp.1 - 5  

윤효섭 (순천향대학교 신소재공학과) ,  류근걸 (순천향대학교 신소재공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

As the semiconductor devices are miniaturized, the number of the unit cleaning processes increases. In order to processes by conventional RCA cleaning process, the consumption of volume of liquid chemical and DI water became huge. Therefore, the problem of environmental issues are evolved by the inc...

AI 본문요약
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제안 방법

  • 기존의 RCA 세정의 APM 및 HPM 세정은 65t에서 5분간 세정하였으며, 전해수 세정은 상온에서 5분간 세정하였으며, iHnse는 모두 5 Cycles 씩 초순 수로 행하였다. 각각의 세정 실시 후, 실리콘 웨이퍼 표면의 잔류 금속 불순물의 오염 정도는 ICP-MS를 사용하여 측정하였다.
  • 각각의 챔버에는 초순수가 공급되며, 산화성 anode water 및 환원성 cathode waters 생성하기 위하여 중간 챔버에 염산 전해질을 첨가하여 전기분 해를 실시하였다. 중간챔버에 첨가된 전해질의 양은 40) m£/1.
  • 기존의 RCA 세정의 APM 및 HPM 세정은 65t에서 5분간 세정하였으며, 전해수 세정은 상온에서 5분간 세정하였으며, iHnse는 모두 5 Cycles 씩 초순 수로 행하였다. 각각의 세정 실시 후, 실리콘 웨이퍼 표면의 잔류 금속 불순물의 오염 정도는 ICP-MS를 사용하여 측정하였다.
  • 실험에 사용된 실리콘 웨이퍼는 CZ 법으로 생산된 직경 200 mm, 비저항이 5~20 必-cm이며 B(boron)가 도핑된 p-type, (100) 결정 방향을 가지는 재료를 사용하였다. 먼저 실리콘 웨이퍼를 HF/ H2O2 용액에 5분간 전처리한 후 Al, Cu, Fe, Ni 등의 오염용액을 초순수에 오염 시켜 이 오염된 용액에 실리콘 웨이퍼를 침적 시켜 인위적으로 실리콘 웨이퍼 표면을 정량적으로 오염을 시켰다.
  • 본 연구에서는 기존의 습식 세정과는 다르게 극미량의 화학약품만을 첨가하여 물에 직류전압을 가하여 pH 및 산화/환원 전위를 변화시킬 수 있는 산성 및 알칼리성의 전해수(Electrolyzed Water, EW)를 생성할 수 있다. 전기분해를 할 때 전극표면에서 는 전자의 교환이 일어나고 각종 산화성이나 환원성 물질이 발생하며, pH나 산화/환원력 (Oxidation/Reduction Potential, ORP)이 변하는 전해수를 얻는다.
  • 얻어진 전해수를 이용하여 실리콘 웨이퍼 표면의 금속 오염물을 제거하였다. 세정 된 실리콘 웨이퍼의 표면 금속 오염도 측정은 Perkin Elmer 사의 ICP-MS를 사용하였다.
  • 전기분해를 할 때 전극표면에서 는 전자의 교환이 일어나고 각종 산화성이나 환원성 물질이 발생하며, pH나 산화/환원력 (Oxidation/Reduction Potential, ORP)이 변하는 전해수를 얻는다. 얻어진 전해수를 이용하여 실리콘 웨이퍼 표면의 금속 오염물을 제거하였다. 세정 된 실리콘 웨이퍼의 표면 금속 오염도 측정은 Perkin Elmer 사의 ICP-MS를 사용하였다.
  • 5 2롤 중간챔버에 첨가하였다. 인가된 전해 전류는 9.0 A이었으며 얻어진 전해수의 ORP, pH, 및 세정시간 동안 전해수의 안정성을 확인하기 위해 lifetime 등을 측정하였다.
  • 인위적으로 금속 불순물을 오염시킨 실리콘 웨이퍼롤 두 그룹으로 분류하여 기존의 RCA 세정력과 전해수 세정력을, 또한 전해수의 양극 수와 음극 수와의 세정력을 비교 실험하였다. 실험 방법은 Table 2에 나타내었다.

대상 데이터

  • 실험에 사용된 실리콘 웨이퍼는 CZ 법으로 생산된 직경 200 mm, 비저항이 5~20 必-cm이며 B(boron)가 도핑된 p-type, (100) 결정 방향을 가지는 재료를 사용하였다. 먼저 실리콘 웨이퍼를 HF/ H2O2 용액에 5분간 전처리한 후 Al, Cu, Fe, Ni 등의 오염용액을 초순수에 오염 시켜 이 오염된 용액에 실리콘 웨이퍼를 침적 시켜 인위적으로 실리콘 웨이퍼 표면을 정량적으로 오염을 시켰다.
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