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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6, 2005 July 07, 2005년, pp.101 - 102
김형우 (한국전기연구원) , 김상철 (한국전기연구원) , 방욱 (한국전기연구원) , 김남균 (한국전기연구원) , 서길수 (한국전기연구원) , 김은동 (한국전기연구원)
SiC lateral power semiconductor device has high breakdown voltage and low on-state voltage drop due to the material characteristics. And, because the high breakdown voltage can be obtained, RESURF technique is mostly used in silicon power semiconductor devices. In this paper, we presents the electri...
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