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절연층에 삽입된 실리콘 나노와이어 유연소자의 특성 원문보기

한국재료학회 2010년도 춘계학술발표대회, 2010 May 13, 2010년, pp.25.1 - 25.1  

문경주 (연세대학교 신소재공학부) ,  최지혁 (연세대학교 신소재공학부) ,  전주희 (연세대학교 신소재공학부) ,  강윤희 (연세대학교 신소재공학부) ,  이태일 (연세대학교 신소재공학부) ,  명재민 (연세대학교 신소재공학부)

초록
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본 연구에서는 절연막에 삽입시킨 실리콘 나노와이어 유연소자를 제작하고 그 소자의 전기적 특성을 분석하여 유연소자로서의 적합성을 평가하였다. 최근 반도체 및 디스플레이 등이 다양한 현장에 응용되면서 유연성을 이용한 소자의 필요성이 대두되고 있다. 이러한 요구를 바탕으로 나노와이어를 유연소자에 적용시키기 위하여 삽입방법을 이용하여 field-effect transistor(FET) 소자를 제작하였다. 유연소자의 기판으로는 polyimide(PI) 및 poly(ethylene 2,6 naphtahalate)(PEN)을 사용하였고, 절연막은 poly-4-vinylphenol(PVP)을 이용하였으며 이때, 나노와이어는 무전해 식각법으로 합성한 실리콘 나노와이어를 사용하였다. 이렇게 제작된 유연소자를 휨 상태 및 삽입된 정도에 따른 전기적 특성을 비교하였고 휨 테스트를 통하여 소자의 안정성을 분석하였다. 전기적 특성은 I-V 측정을 통하여 Ion/Ioff ratio, 이동도, subthreshold swing, threshold voltage값 등을 평가하였다.

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