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반도체소자 박막 분석
Analysis of Thin Films for Semiconductor 원문보기

한국산학기술학회 2010년도 추계학술발표논문집 1부, 2010 Nov. 12, 2010년, pp.73 - 75  

오데레사 (청주대학교 전자정보공학부 반도체설계공학과)

초록
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층간 절연막으로 사용 가능한 SiOC 박막에 대하여 유전상수가 낮아지는 원인을 이온에 의한 분극과 전자에 의한 분극에 대하여 측정하였다. MIS 구조를 이용하여 전형적인 C-V 측적법에 의하여 유전상수를 구하였으며, 굴절률을 측정하여 전자에 의한 분극의 효과에 의한 유전상수를 측정하고 서로 비교하였다. SiOC 박막의 화학적인 특성은 FTIR 분석을 이용하였으며, FTIR 분석에서 디컨벌류션한 데이터는 탄소의 함량에 대한 변화를 구하였다. 탄소의 함량변화는 굴절률의 변화와 비슷한 경향성을 나타내었으나, 유전상수와는 반비례하였다. 전자에 의한 분극의 효과는 유전상수가 떨어지는 것에 큰 영향을 주지는 않았으며, 이온에 의한 분극의 효과가 SiOC 박막의유전상수를 낮게 하는 효과가 더욱 크게 나타났다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 유전상수가 낮아지는 데는 비정질 결정구조가 필수적으로 요구되며 박막의 표면 특성 또한 단단하고 차세대 디스플레이나 전자 종이 등에도 쓰여질 수 있는 가능성이 대두되고 있는 신소재 물질이다[17-22]. 본 연구에서는 분극의 특성으로부터 SiOC 박막의 유전상수가 낮아지는 효과의 원인에 대하여 조사하였다.
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