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제안 방법
- 본 논문에서는 CdS 나노구조를 CBD법으로 AAO 나노 템플레이트 내에서 합성하였다. 또한 나노 템플레이트의 기공 크기에 따른 CdS 나노구조조의 구조적, 광학적 물성변화에 대해 조사하였다.
- 반응 시간에 따른 나노구조의 CdS 성장을 조사하기 위해 anodisc(Whatman, pore size: 0.2 ㎛) 기판을 이용하여 10~30분 동안 증착하였다. 그림 2는 anodisc 기판 위에 성장된 나노구조 CdS의 단면 구조를 나타낸 것으로 20분 이상 반응시켜야 기공 내에 CdS 나노입자가 채워지는 것 알 수 있다.
- 반응 시간에 관계없이 일정시간 이상 반응하였을 때 유리 기판 위에 증착된 CdS 박막과 유사한 표면 구조를 나타내어 anodisc 표면 상에서의 정확한 미세구조를 확인할 수 없었다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 1/4(HCl/D.I. water) 비율로 혼합한 용액을 이용하여 CdS가 코팅된 표면을 5초 정도 식각하였다. 그림 5는 서로 다른 기공 크기를 갖는 AAO 나노 템플레이트상에 합성된 CdS의 식각 후 표면 미세구조를 나타낸 것이다.
대상 데이터
- 본 연구에서 CBD에 의한 나노 구조 CdS 박막을 제조하기 위해 그림 1의 실험 장치를 사용하였다. CdS 박막을 증착시킬 기판으로는 AAO 템플레이트를 세제액과 D.I. water로 초음파 세척한 후, 질소 gun으로 건조하여 사용하였다. Cadmuim 및 sulfur ion source로는 각각 cadmium acetate(Cd(CH3COO)2)와 thiourea((NH2)2CS)를 사용하였고, complexing agent 및 pH 조절제로는 ammonia(NH3)를 사용하였으며, 용액내의 급격한 반응에 의한 많은 침전물 생성을 억제하기 위해 buffer로서 ammonium acetate(NH4Ac)를 사용하였다.
이론/모형
- 본 논문에서는 CdS 나노구조를 CBD법으로 AAO 나노 템플레이트 내에서 합성하였다. 또한 나노 템플레이트의 기공 크기에 따른 CdS 나노구조조의 구조적, 광학적 물성변화에 대해 조사하였다.
- 본 연구에서는 기공직경 10-200 nm, 기공 깊이 40 ㎛의 AAO 나노 템플레이트를 이용하여 CdS 나노 구조를 chemical bath deposition법으로 합성하였다. XRD 분석 결과 CdS 나노 구조는 hexagonal phase의 (002), (103), (112)면에 해당하는 peak이 관찰되었으며, 기공 크기가 커짐에 따라 c-측 방향으로의 우선 성장됨을 알 수 있었다.
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