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제안 방법
- 3M옥살산 (17℃)중에서 40V의 정전압으로 10분간 수행하였다. 1차 양극산 화 공정 후 생성된 알루미나를 제거하기 위해 6wt%인산과 1.8wt% 크롬산과 증류 수의혼합액을 이용하여 15분간 화학연마를 수행하였다.
- 2차 양극산화공정을 수행한 후에 생성된 알루미나 층의 미세기공의 크기와 높이률 제어하기 위해 0.1M 인산 용액에서 pore widening 공정을 실시하였다. 완성된 AAO 를 형틀로 하여 벌크중 합법으로 PMMA 도 광판을 제작하였다.
- 사용하였다 [3-5]. PMMA 나노 패턴은 벌크 중합 공정을 이용하여 제작하였다.
- 99%) 이 ate를 양극 산 화용 시편(40x40mm)으로 사용하였다. 과염소산과 에탄올의 혼욕(1:4) 중에서 5℃를 유지하면서 20V의 정전압으로 1분간 전해 연마률 실시하여 Al plate룔 전처리하였다. 양극산 화공정은 2단계로 수행하였다.
- 기공을 보다 규칙적으로 정렬하기 위해서 2차 양극산화 공정을 1차 양극산화공정과 같은 조건에서 5분간 실시하였다. 2차 양극산화공정을 수행한 후에 생성된 알루미나 층의 미세기공의 크기와 높이률 제어하기 위해 0.
- 를 제작하였다. 벌寻중합공정에 의해 제작되는 PMMA 나노 패턴을 AAO 형틀即서 원활히 분리AI 키기 위해서 벌프 중합공정 전에 AAO 형틀의 미세기공의 높이률 pore widening 공정을 수행하여 미세기공의 높이詈 낮게 하였다. SPM 측정 결과는 AAO의 나노 패턴이 도광판으로 사용될 수 있을 정도로 PMMA로 전사되었음을 보여주었다.
- 스탬퍼 제작 시 복잡한 공정과 제작단가가 비싼 단점을 가격이 싸며 제작 공정이 단순한 양극산화공정으로 제작된 AAO 롤벌중합공정의 형틀로 하여 나노 패턴을 갖는 PMMA 를 제작하였다. 벌寻중합공정에 의해 제작되는 PMMA 나노 패턴을 AAO 형틀即서 원활히 분리AI 키기 위해서 벌프 중합공정 전에 AAO 형틀의 미세기공의 높이률 pore widening 공정을 수행하여 미세기공의 높이詈 낮게 하였다.
- 용액에서 기포가 생기지 않고 점성이 충분이 강해진 뒤에 준비된 형틀에 용액을 붓고 60℃에서 24 시간 정도를 유지하면 딱딱하게 굳게 된다. 이률 형틀과뿐리시켜 PMMA 나노 패턴을 제작하였다.
- 포토리소그래피 공정을 이용하여 제작하는 나노 패턴을갖는 스탬퍼는 제작 공정이 복잡할 뿐더러 제작단가가 매우 비싸기 때문에 본 논문에서는 포토리소그래피 공정을 이용하여 제작하는 스탬퍼보다 제작 공정이 간단하고, 낮은 가격으로 제작할 수 있는 AAO 멤브레인에 규칙적으로 형성된 나노기공을 PMMA 나노 패턴 제작을 위한 형틀로 사용하였다 [3-5]. PMMA 나노 패턴은 벌크 중합 공정을 이용하여 제작하였다.
대상 데이터
- 두께 0.1mm인 고순도시(99.99%) 이 ate를 양극 산 화용 시편(40x40mm)으로 사용하였다. 과염소산과 에탄올의 혼욕(1:4) 중에서 5℃를 유지하면서 20V의 정전압으로 1분간 전해 연마률 실시하여 Al plate룔 전처리하였다.
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