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급수를 이용한 DGMOSFET의 DIBL 특성 분석
Analysis of DIBL Characteristics for Double Gate MOSFET Using Series 원문보기

한국해양정보통신학회 2011년도 춘계학술대회, 2011 May 26, 2011년, pp.709 - 711  

한지형 (군산대학교 전자공학과) ,  정학기 (군산대학교 전자공학과) ,  정동수 (군산대학교 전자공학과) ,  이종인 (군산대학교 전자공학과) ,  권오신 (군산대학교 전자공학과)

초록
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본 연구에서는 Double-gate MOSFET의 DIBL(Drain Induced Barrier Lowering)의 특성을 분석하기 위하여 분석학적 전송모델을 사용하였으며 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아송방정식을 풀 때 급수함수를 이용하였다. 단채널 효과에서는 유효채널길이 감소와 문턱전압 감소 그리고 DIBL이 있다. DIBL은 드레인 전압 변화에 따른 문턱전압의 변화로 알 수 있다. 채널길이가 감소하면 DIBL은 감소하지만, 채널길이가 감소하면 단채널 효과가 증가한다. 본 논문에서는 채널길이에 따른 DIBL을 분석하였고, 또한 채널 두께 및 게이트 산화막의 두께에 대한 DIBL에 대하여 분석하였다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 그러나 이러한 스케일링이론은 소자의 길이가 나노단위까지 감소하면서 공정 및 물질의 한계에 부딪쳐 더 이상 적용할 수 없게 되었다[2]. 이러한 SCE 문제들을 해결하기 위해 여러 가지 방법들 중 본 논문에서는 두 개의 게이트를 갖는 Double gate MOSFET의 DIBL의 특성을 분석하였다.
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