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GaN 기반 발광 다이오드(LED)의 특성 분석
Characteristic analysis of GaN-based Light Emitting Diode(LED) 원문보기

한국정보통신학회 2012년도 춘계학술대회, 2012 May 26, 2012년, pp.686 - 689  

이재현 (한밭대학교 정보통신전문대학원) ,  염기수 (한밭대학교 정보통신공학과)

초록
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본 논문에서는 ISE-TCAD를 이용하여 GaN 기반의 LED특성을 분석하였다. LED는 GaN 버퍼층을 기반으로 GaN 장벽과 InGaN 양자우물로 구성된 활성 영역, AlGaN EBL(Electron Blocking Layer)과 AlGaN HBL(Hole Blocking Layer)로 이루어져 있다. Auger 재결합률, 양자 우물의 폭과 수, EBL의 Al 몰분율의 변화에 따른 LED의 출력 전력 특성을 분석하고 효율 개선을 위한 몇 가지 기준을 제시하였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, the GaN-based LED characteristics are analyzed using ISE-TCAD. The LED consists of GaN barriers, active region of InGaN quantum well, AlGaN EBL(Electron Blocking Layer) and AlGaN HBL(Hole Blocking Layer) on GaN buffer layer. The output power characteristics of LED considering Auger re...

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 InGaN/GaN 다중 양자 우물 구조의 LED를 ISE-TCAD 시뮬레이션을 사용하여 설계한 후 Auger 재결합률, 양자우물의 폭과 수, EBL의 Al 몰분율 파라미터 변화에 따른 출력 전력 특성을 분석하고 LED의 효율을 개선하기 위한 몇 가지 기준을 제시하였다.
  • 본 논문에서는 다중 우물 양자 구조를 갖는 GaN 기반 LED에서 파라미터 변화에 따른 LED특성을 ISE-TCAD 시뮬레이션을 이용하여 분석하고 적절한 설계 기준을 제시하였다.
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