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NTIS 바로가기Device Research Conference, 2002. 60th DRC. Conference Digest, 2002, 2002년, pp.193 - 194
Rino Choi (The University of Texas at Austin) , Onishi, K. , Chang Scok Kang , Renee Nieh , Gopalan, S. , Hag-Ju Cho , Krishnan, S. , Lee, J.C.
MOSFETs with high gate dielectric such as HfOz, ZrOz and LazOl have been studied intensively. Among these materials, HfOz seems to be promising because of its compatibility with the polysilicon gate process and relatively superior scalability....
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