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NTIS 바로가기Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International, 2003, 2003년, pp.13.6.1 - 13.6.4
Seong Geon Park (Semicond. R&) , You Kyoung Lee (D Center, Samsung Electron. Co. Ltd., Kyunggi-Do, South Korea) , Sang Bom Kang (Semicond. R&) , Hyung Suk Jung (D Center, Samsung Electron. Co. Ltd., Kyunggi-Do, South Korea) , Seok Joo Doh (Semicond. R&) , Jong-Ho Lee (D Center, Samsung Electron. Co. Ltd., Kyunggi-Do, South Korea) , Jae Ho Choi , Gyeong Hoon Kim , Gil Heyun Choi , U In Chung , Joo Tae Moon
For the first time, we integrated a HfO2-Al2O3 laminate gate dielectric with a CVD-TaN metal gate deposited by TAIMATA (tertiaryamylimidotris dimethylamidotantalum) in n/pMOSFETs. It was found that TaN films with low impurity contents were required for optimized capacitance. Together with a slight i...
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