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반도체 웨이퍼 패키지 공정 범핑에 사용되는 주석 도금의 두께 균일성
Uniformity of bump height in pure Sn plating used on the semiconducter wafer bumping. 원문보기

한국표면공학회 2016년도 추계학술대회 논문집, 2016 Nov. 17, 2016년, pp.113 - 113  

김동현 (주식회사엠에스씨) ,  이성준 (주식회사엠에스씨)

초록
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반도체 웨이퍼 패키지 공정에는 솔더 범프용으로 주석-은 합금 도금액이 사용되어 왔다. 최근, 주석-은 도금 피막중의 은 함량의 불균일성, 불용성 양극의 사용에 의한 전압 상승. 은의 도금 치구에의 석출, 리플로 후의 보이드의 형성 등의 문제로 인하여 주석 단독 금속 도금에 의한 범프 형성이 실용화되었다. 본 연구에서는, 범프용 주석 도금액에서의 전류밀도, 금속이온의 농도, 유리산의 농도 및 첨가제의 농도가 범프 두께 균일성에 미치는 영향을 조사하였다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 등이다. 본 연구에서는 반도체 웨이퍼 범프용 주석 도금의 두께 균일성 및 보이드 형성에 미치는 도금액 조성 및 도금 조건을 검토하였다.

가설 설정

  • 1) 레지스트의 침해가 없고 파인피치에 대응 가능할 것
  • 2) 범프간의 두께 편차가 적고, 균일할 것
  • 3) 리플로 후의 보이드가 없을 것
  • 4) 높은 욕안정성 및 장수명인 도금액일 것.
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