제안 방법

• 하지만 추가적인 patterning에 의해 발생하는 polymer residue에 의해 소자에 안 좋은 영향을 미칠 수 있다는 단점이 있다. 그래서 본 연구에서는 보다 간편하고 그래핀에 안전한 Argon (Ar) 플라즈마 처리를 이용하여[5] 전극이 증착 될 그래핀 영역에만 결함을 유도, 부분적으로 금속과 end-contact을 이룰 수 있도록 실험을 구상하였다. 본 연구에서는 SiO₂ 기판을 플라즈마 etching하여 거칠게 만든 후 그래핀을 올리고, 그래핀에 손상을 최소화하기 위하여 낮은 출력의 Ar 플라즈마 처리를 하였다.
• 그래서 본 연구에서는 보다 간편하고 그래핀에 안전한 Argon (Ar) 플라즈마 처리를 이용하여[5] 전극이 증착 될 그래핀 영역에만 결함을 유도, 부분적으로 금속과 end-contact을 이룰 수 있도록 실험을 구상하였다. 본 연구에서는 SiO₂ 기판을 플라즈마 etching하여 거칠게 만든 후 그래핀을 올리고, 그래핀에 손상을 최소화하기 위하여 낮은 출력의 Ar 플라즈마 처리를 하였다. 플라즈마 etching에 의해 증가된 SiO₂ 기판의 roughness에 의해서 주변 SiO₂ 영역보다 상대적으로 돌출 된 SiO₂ 부분에 플라즈마의 영향이 더 강하게 작용할 것이라 예상하여 골 부분에 올라가 있는 그래핀 보다 돌출 된 부분에 올라가 있는 그래핀 영역에 집중적으로 결함을 만들 수 있을 것으로 예측하였다.
• 본 연구에서는 SiO₂ 기판을 플라즈마 etching하여 거칠게 만든 후 그래핀을 올리고, 그래핀에 손상을 최소화하기 위하여 낮은 출력의 Ar 플라즈마 처리를 하였다. 플라즈마 etching에 의해 증가된 SiO₂ 기판의 roughness에 의해서 주변 SiO₂ 영역보다 상대적으로 돌출 된 SiO₂ 부분에 플라즈마의 영향이 더 강하게 작용할 것이라 예상하여 골 부분에 올라가 있는 그래핀 보다 돌출 된 부분에 올라가 있는 그래핀 영역에 집중적으로 결함을 만들 수 있을 것으로 예측하였다. 이를 성취하기 위해 우선적으로 선행되어야 할 실험은 SiO₂ 기판을 거칠게 만드는 것으로, SF₆와 O₂를 섞은 플라즈마로 SiO₂ 기판을 etching을 하였다.
• 가장 거친 표면을 구현하도록 SF₆와 O₂의 비율을 다양하게 실험하였고, 기판 표면을 AFM과 SEM으로 분석하여 최적의 조건을 찾아내었다. 이렇게 만들어진 SiO₂ 기판 위에 그래핀을 올리고 Ar 플라즈마 처리를 할 경우에 원하는 곳에 국부적으로 결함을 만들어 그래핀과 금속이 end-contact될 것으로 예상한다.