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ALD를 이용한 ZnO 기반 박막물질의 광전소자로의 응용
Application of ZnO-based ALD processes for photovoltaic devices 원문보기

한국표면공학회 2015년도 춘계학술대회 논문집, 2015 May 07, 2015년, pp.47 - 47  

이우재 (부산대학교 재료공학부) ,  윤은영 (부산대학교 재료공학부) ,  권정대 (재료연구소 표면기술연구본부) ,  권세훈 (부산대학교 재료공학부)

초록
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Atomic layer deposition (ALD) 방법으로 증착시킨 ZnO 기반의 박막물질들을 다양한 종류의 태양전지에서 TCO, Buffer Layer 등으로 활용하기 위한 노력이 최근 이루어지고 있다. 본 발표에서는 ALD를 이용한 ZnO 기반 박막물질들의 광전소자로의 적용을 위한 요구물성을 맞추기 위한 precursor/reactant의 selection을 포함한 공정 parameter가 박막의 물성에 미치는 영향 및 생산성 향상을 위한 ALD 공정장치 개발 예를 소개하고, 광전소자 특성에 미치는 영향을 살펴보았다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 광전소자에 활용가능한 ZnO 기반 박막물질들의 상이한 요구 특성을 만족시키기 위하여, 이러한 precursor/reactant의 조절과 함께 pulsing time/pressure를 포함한 증착 parameter들과 함께, ALD directed doping과 후속 열처리 등에 의하여 ZnO 기반 물질들의 전기/광학적 특성들을 조절하였다. 이와 더불어, 기존 ALD 공정의 낮은 생산성 문제를 해결하기 위한 대면적/대용량 공정 장비 기술 발전에 따른 산업적 응용분야에 대해 알아보았다.
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