[논문]Design of DRAM sense amplifier using 45nm technology

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[해외논문] Design of DRAM sense amplifier using 45nm technology

Devices, Circuits and Systems (ISDCS), 2018 International Symposium on, 2018 Mar, 2018년, pp.1 - 5

Kumar, Ankush (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (BHU), Varanasi, India - 221005) , Pandey, Akanksha (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (BHU), Varanasi, India - 221005) , Sahu, Praveen Kumar (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (BHU), Varanasi, India - 221005) , Chandra, Lalit (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (BHU), Varanasi, India - 221005) , Dwivedi, R. (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (BHU), Varanasi, India - 221005) , Mishra, V.N. (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (BHU), Varanasi, India - 221005)

Abstract ▼ AI-Helper

In very large scale integration (VLSI) circuits, power consumption plays a crucial role to design memory elements and digital systems. This work proposed the power savings in DRAM sense amplifier can be done by using FSPA-VLSA (Foot Switch PMOS Access Voltage Latch Type Sense Amplifier). Applying this technique in open bit architecture of DRAM Cell during read operation, a reduction in overall power consumption has been obtained approximately 81%. The proposed circuit also has advantages in low power VLSI/ULSI design. The circuit has been designed and implemented in Cadence virtuoso tools at 45nm Technology.

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