제안 방법

• 그리하여 본 실험에서는 좀 더 낮은 전기적 저항을 갖는 SiC를 제조하는 연구를 하였으며 이에 기존의 방법과는 다른 방법으로 증착을 하였다.
• 그리하여 본 실험에서는 좀 더 낮은 전기적 저항을 갖는 SiC를 제조하는 연구를 하였으며 이에 기존의 방법과는 다른 방법으로 증착을 하였다. 기존에는 수소 분위기에서 증착을 하여 SiC를 증착하였지만 우리는 질소와 아르곤 분위기에서 SiC를 증착하여 비교 분석하였다. 이때 질소분위기에서 증착한 SiC가 수소분위기에서 증착한 SiC보다 10²(Ωcm)정도 비저항 값이 낮게 나왔으며 희석기체를 아르곤을 사용하여 증착된 SiC 역시 저항값이 낮아지는 경향을 보였다.
• 수소가스를 사용한 경우 n-type 반도체 거동을 보였으며 질소와 아르곤의 경우 p-type 특성을 나타내었다. 본 실험에서는 희석기체를 달리하여 증착한 CVD SiC 의 전기전도도, Seebeck coefficient 그리고 열전도도를 분석하여 각기 다른 증착분위기에 증착된 CVD SiC의 열전성질의 차이를 알아보았다.