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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0048750 (2018-04-26) | |
등록번호 | 10-2040281-0000 (2019-10-29) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180048750 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-04-26) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 에칭장치의 챔버 내부에 구성되는 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링(10)에 있어서, 상기 한정 링(10)은, CVD-SiC 소재를 이용하여 원형의 형상을 취하며, 중앙부가 수직방향으로 관통되게 형성되고, 하부 가장자리에는 일정간격 상호 이격되는 다수의 슬롯(11)들이 장방형으로 형성되되, 상부에서 하부방향으로 갈수록 폭이 점차적으로 넓어지게 형성되며, 상기 한정 링(10)의 하부에 상기 슬롯(11)과 대응하되, 상기 슬롯(11)보다 더 큰 홀(21)
에칭장치의 챔버 내부에 구성되는 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링(10)에 있어서,상기 한정 링(10)은,CVD-SiC 소재를 이용하여 원형의 형상을 취하며, 중앙부가 수직방향으로 관통되게 형성되고, 하부 가장자리에는 일정간격 상호 이격되는 다수의 슬롯(11)들이 장방형으로 형성되되, 상부에서 하부방향으로 갈수록 일측이 경사지게 형성되어 그 폭이 점차적으로 넓어지게 형성되며, 상기 한정 링(10)의 하부에 상기 슬롯(11)과 대응하되, 상기 슬롯(11)보다 더 큰 홀(21)을 갖는 쿼츠(Quartz) 링(20)을 구성하여, 상기
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