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NTIS 바로가기국가/구분 | European Patent Office(EP) /A1 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | 19184262.4 (2019-07-03) |
공개번호 | 3760766 (2021-01-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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The present invention relates to systems and methods for simultaneously manufacturing more than one single crystal of a semiconductor material by physical vapor transport (PVT). The PVT growth system comprises a plurality of reactors, each reactor having an inner chamber adapted to accommodate a PVT
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