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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | 16458385 (2019-07-01) |
등록번호 | 11035054 (2021-06-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 0 |
In an apparatus and method growing a SiC single crystal, a PVT growth apparatus is provided with a single crystal SiC seed and a SiC source material positioned in spaced relation in a growth crucible. A resistance heater heats the growth crucible such that the SiC source material sublimates and is t
1. A physical vapor transport (PVT) growth apparatus for PVT growing a SiC single crystal comprising: a growth crucible having a side, a top, and a bottom, and an aspect ratio of an outside diameter over a height between 1 and 4, the top of the growth crucible configured to support a single crystal
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