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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1979-0003592 (1979-10-18) |
공고번호 | 10-0014157-0000 (1983-02-15) |
등록번호 | 10-0014157-0000 (1983-04-29) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019790003592 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
표면에 절연막(2a,2c)을 갖는 반도체기판(1)에 불순물을 이온주입할 때 처음에는 절연막의 표면 전위가 반도체기판(1)과의 사이에서 절연파괴 되지 않을 정도의 적은 비임전류(I1)로 이온을 주입하고, 그 후, 그 절연막 표면 전위가 절연파괴 되지 않을 정도의 비임전류(I2,I3)값을 증가시켜서 소정량의 이온을 주입한다. 절연막을 파괴하지 않고 이온주입시간을 단축시키게 되므로 주입량이 10E15~10E16 ions/Cm2이상의 고농도가 되는 MOS트랜지스터의 소오스영역의 형성에 유익하다.
표면에 절연막(2a,2c)을 가진 반도체 기판(1)에 불순물을 이온주입할때, 처음에는 절연막의 표면 전위가 반도체 기판(1)과의 사이에서 절연파괴가 생기지 않을 정도의 적은 비임전류(I1)로 이온주입을하고, 그후 그 절연막 표면 전위가 절연파괴를 이르키지 않을 정도의 비임전류(I2,I3)값을 증가시켜서 소정량의 이온을 주입 함을 특징으로 하는 이온 주입법.
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