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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2015-0095393 (2015-07-03) | |
| 등록번호 | 10-1689362-0000 (2016-12-19) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020150095393 | |
| 발명자 / 주소 | ||
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2015-07-03) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 등록 |
본 발명은 GaAs 홀센서 칩 및 GaAs 홀센서 칩 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 GaAs 홀센서 칩 제조방법은 GaAs 기판 상부에 채널층, 공간층 및 오믹층을 순서대로 형성하는 에피택시얼층 형성 단계; 상기 에피택시얼층을 십자가 패턴으로 만드는 패터닝 단계; 십자가 패턴의 에피택시얼층 네 단부 상부에 각각 전극을 형성하는 전극 형성 단계; 상기 전극이 형성되지 않은 에피택시얼층 내부 영역에서 상기 오믹층만 모두 제거하는 리세스 에칭 단계; 및 상기 리세스 에칭 단계 이후에 상기 전극의 상부면을 제외하고 상기
GaAs 기판;상기 GaAs 기판 상부에 채널층, 공간층 및 오믹층이 순서대로 적층된 십자가 패턴의 에피택시얼층; 및상기 십자가 패턴의 4개의 단부 상부에 각각 형성된 4개의 전극;을 포함하고, 상기 에피택시얼층은 상기 전극 하부에는 상기 채널층 상부에 공간층과 오믹층이 순서대로 적층되어 있는 반면 상기 전극이 형성되지 않은 내부 영역은 상기 채널층 상부에 공간층만 적층되어 있고, 상기 공간층은 상기 채널층보다 에너지 밴드갭이 크고 상기 채널층과 격자 상수가 맞는 2원소 또는 3원소 물질로 구성되는 GaAs 홀센서 칩.
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