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[한국특허] LITAO3단결정 웨이퍼배면의 가공 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C30B-029/22
출원번호 10-1992-0007295 (1992-04-29)
공개번호 10-1993-0021834 (1993-11-23)
DOI http://doi.org/10.8080/1019920007295
발명자 / 주소
  • 마동준 / 서울특별시영등포구당산동*가**-*강남맨션*동***호
  • 이성국 / 경기도성남시수정구태평*동****
  • 한재용 / 경기도수원시장안구정자동동신아파트***동***호
출원인 / 주소
  • 삼성코닝 주식회사 / 경기도 수원시 영통구 이의동 ***-**
대리인 / 주소
  • 이철 (LEE, Chul)
  • 서울 서초구 서초*동 ****-** 장생빌딩 *층(청운특허법인)
심사진행상태 취하(심사미청구)
법적상태 취하

초록

본 발명은 LiTaO3 단결정 웨이퍼의 가공방법에 관한 것으로서, 좀더 구체적으로는 쏘우(SAW) 필터용 웨이퍼 가공시 웨이퍼의 배면을 일정한 거칠기로 가공하기 위하여 웨이퍼의 배면을 사진식각법으로 가공하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의해 웨이퍼 배면을 균일한 거칠기로 가공하므로서 쏘우 필터의 특성에 많은 영향을 미치는 스퓨리어스(불요신호)특성도 안정되고 균일하게 되었고, 웨이퍼내에 가공에 의한 응력집중 현상을 제거하여 쏘우 필터제조시 웨이퍼가 손상되는 것을 방지하므로써 수율 및 품질과 생산성을 향상시킨 것이다.

대표청구항

LiTaO3 단결정 웨이퍼 배면의 가공방법에 있어서, 웨이퍼의 배면을 사진 식각법에 의해 가공하는 것을 특징으로하는 LiTaO3 단결정 웨이퍼 배면의 가공방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.

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