초록 ▼

본 발명은 반도체 웨이퍼 세정설비 및 세정방법에 관한 것으로, 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 스테이지와; 웨이퍼가 대전되는 것을 억제하는 제1 세정액을 상기 웨이퍼에 스프레이 방식으로 분사하여 상기 웨이퍼로부터 파티클을 제거하는 제1 세정 유닛과; 웨이퍼의 표면을 친수화시키는 제2 세정액을 상기 웨이퍼에 제공하고 쿼츠 로드를 발진시켜 상기 제2 세정액을 진동시켜 상기 웨이퍼로부터 파티클을 제거하는 제1 세정 유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 웨이퍼에 형성된 패턴의 손상이 없고 파티클의 역흡착 현상없이 웨이퍼 표면으로부터

본 발명은 반도체 웨이퍼 세정설비 및 세정방법에 관한 것으로, 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 스테이지와; 웨이퍼가 대전되는 것을 억제하는 제1 세정액을 상기 웨이퍼에 스프레이 방식으로 분사하여 상기 웨이퍼로부터 파티클을 제거하는 제1 세정 유닛과; 웨이퍼의 표면을 친수화시키는 제2 세정액을 상기 웨이퍼에 제공하고 쿼츠 로드를 발진시켜 상기 제2 세정액을 진동시켜 상기 웨이퍼로부터 파티클을 제거하는 제1 세정 유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 웨이퍼에 형성된 패턴의 손상이 없고 파티클의 역흡착 현상없이 웨이퍼 표면으로부터 파티클을 효과적으로 제거함으로써 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

대표청구항

웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 스테이지와;웨이퍼가 대전되는 것을 억제하는 제1 세정액을 상기 웨이퍼에 스프레이 방식으로 분사하여 상기 웨이퍼로부터 파티클을 제거하는 제1 세정 유닛과;웨이퍼의 표면을 친수화시키는 제2 세정액을 상기 웨이퍼에 제공하고 쿼츠 로드를 발진시켜 상기 제2 세정액을 진동시켜 상기 웨이퍼로부터 파티클을 제거하는 제2 세정 유닛;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정설비.

웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 스테이지와;웨이퍼가 대전되는 것을 억제하는 제1 세정액을 상기 웨이퍼에 스프레이 방식으로 분사하여 상기 웨이퍼로부터 파티클을 제거하는 제1 세정 유닛과;웨이퍼의 표면을 친수화시키는 제2 세정액을 상기 웨이퍼에 제공하고 쿼츠 로드를 발진시켜 상기 제2 세정액을 진동시켜 상기 웨이퍼로부터 파티클을 제거하는 제2 세정 유닛;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정설비.