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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1993-0010715 (1993-06-12) |
공개번호 | 10-1995-0001968 (1995-01-04) |
공고번호 | 10-0111575-0000 (1996-08-21) |
등록번호 | 10-0111575-0000 (1997-01-31) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019930010715 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1993-06-12) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 실질적인 생산다이와 가장근접한 반도체 소자의 EM측정 패턴 형성방법에 있어서, 금속배선 패턴을 형성하기 위한 포토마스크상의 생산다이중 하나를 점유하여 형성하되 EM을 체크하고자 하는 패드는 기존 소자 패드의 위치와 크기가 동일하게 형성하고, 기존 금속배선 패턴 형성을 위한 포토마스크 패턴 중 EM체크형 금속배선을 연결시키는데 필요한 지역 이외의 패턴은 그대로 형성하고, 폭과 길이가 기존의 금속배선과 동일하게 형성하고, 실질적인 반도체 소자 제조공정 그대로 토포로지 상에서 형성하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하
실질적인 생산다이와 가장근접한 반도체 소자의 이엠(EM) 측정 패턴 형성방법에 있어서, 금속배선 패턴을형성하기 위한 포토마스크상의 생산다이중 하나를 점유하여 형성하되 EM을 체크하고자 하는 패드는 기존 소자 패드의 위치와 크기가 동일하게 형성하고, 기존 금속배선 패턴 형성을 위한 포토마스크 패턴중 EM 체크형 금속배선을 연결시키는데필요한 지역 이외의 패턴은 그대로 형성하고, 폭과 길이가 기존의 금속배선과 동일하게 형성하고, 실질적인 반도체 소자제조공정 그대로 포토로지 상에서 형성하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도
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