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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1995-0020906 (1995-07-15) |
공개번호 | 10-1996-0005760 (1996-02-23) |
등록번호 | 10-0382043-0000 (2003-04-15) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019950020906 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2000-03-07) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
집적회뢰를 제조하는 폴리레벨 리소그래피를 수행하는 방법은 단계적이고 반복적인 광학도구에서의 위상전이 마스크를 사용한다. 여기서, 상기 위상전이 마스크에 필요한 위상할당은 할당불일치없이, 활성 게이트패턴과 게이트패턴의 교차부분을 결정하고 교차부분을 적층의 범주로 분할하는 기술에 의해 결정된다. 약간 다른 위상할당 법칙은 서로 다른 스택에서 사용된다.
반도체 웨이퍼상에 집적회로(IC)의 레벨을 형성하기 위하여 위상전이 마스크 패터닝을 하는 i-라인 스테피 리소그래피 방법에 있어서, 상기 리소그래피 방법은 서로 다른 레벨의 레이아웃을 패턴화하기 위해 서로 다른 마스크를 사용하는 것을 포함하며, 위와 같은 레벨 중 하나는 게이트레벨이고 위와 같은 레벨 중 두번째는 활성영역이며, 상기 활성영역은 활성영역 레이아웃 패턴에 의해 공간적으로 형성되고, 상기 게이트레벨은 제1및 제2게이트레벨 레이아웃부에 의해 공간적으로 형성되고, 상기 제1게이트레벨 레이아웃부는 불투명이며 불투명하지 않는 영
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