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[한국특허] 크롬리스 위상변이마스크의 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC9판)
  • H01L-021/027
출원번호 10-2010-0115858 (2010-11-19)
공개번호 10-2012-0054467 (2012-05-30)
DOI http://doi.org/10.8080/1020100115858
발명자 / 주소
  • 강영민 / 부산광역시 기장군 기장읍 차성로***번길 **, 문화그린아파트 *동 ****호
출원인 / 주소
  • 엘지디스플레이 주식회사 / 서울특별시 영등포구 여의대로 ***(여의도동)
대리인 / 주소
  • 특허법인로얄
심사진행상태 취하(심사미청구)
법적상태 취하

초록

본 발명의 실시예는, 크롬리스 위상변이마스크의 제조방법에 있어서, 기판 상에 차광영역들과 투광영역들을 포함하는 위상 반전패턴을 형성하는 단계를 포함하되, 위상 반전패턴을 형성하는 단계는, 차광영역들에 대해 0, 5, 10 nm 중 하나의 네거티브 스페이스 바이어스를 적용하여 차광영역들의 선폭을 좁히고, 투광영역들의 선폭을 넓히는 것을 특징으로 하는 크롬리스 위상변이마스크의 제조방법을 제공한다.

대표청구항

크롬리스 위상변이마스크의 제조방법에 있어서,기판 상에 차광영역들과 투광영역들을 포함하는 위상 반전패턴을 형성하는 단계를 포함하되,상기 위상 반전패턴을 형성하는 단계는,상기 차광영역들에 대해 0, 5, 10 nm 중 하나의 네거티브 스페이스 바이어스를 적용하여 상기 차광영역들의 선폭을 좁히고, 상기 투광영역들의 선폭을 넓히는 것을 특징으로 하는 크롬리스 위상변이마스크의 제조방법.

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