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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2010-0115858 (2010-11-19) |
공개번호 | 10-2012-0054467 (2012-05-30) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020100115858 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명의 실시예는, 크롬리스 위상변이마스크의 제조방법에 있어서, 기판 상에 차광영역들과 투광영역들을 포함하는 위상 반전패턴을 형성하는 단계를 포함하되, 위상 반전패턴을 형성하는 단계는, 차광영역들에 대해 0, 5, 10 nm 중 하나의 네거티브 스페이스 바이어스를 적용하여 차광영역들의 선폭을 좁히고, 투광영역들의 선폭을 넓히는 것을 특징으로 하는 크롬리스 위상변이마스크의 제조방법을 제공한다.
크롬리스 위상변이마스크의 제조방법에 있어서,기판 상에 차광영역들과 투광영역들을 포함하는 위상 반전패턴을 형성하는 단계를 포함하되,상기 위상 반전패턴을 형성하는 단계는,상기 차광영역들에 대해 0, 5, 10 nm 중 하나의 네거티브 스페이스 바이어스를 적용하여 상기 차광영역들의 선폭을 좁히고, 상기 투광영역들의 선폭을 넓히는 것을 특징으로 하는 크롬리스 위상변이마스크의 제조방법.
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