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[한국특허] 감쇠된 매입형 위상변이 포토마스크 블랭크 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)
  • G03F-001/08
출원번호 10-2004-7014565 (2004-09-16)
공개번호 10-2004-0094809 (2004-11-10)
등록번호 10-0781621-0000 (2007-11-27)
국제출원번호 PCT/US2003/010517 (2003-04-07)
국제공개번호 WO2003087948 (2003-10-23)
번역문제출일자 2004-09-16
DOI http://doi.org/10.8080/1020047014565
발명자 / 주소
  • 안젤로포울로스마리 / 미국 뉴욕주 ***** 코트랜트 메이너 이스트 힐 로드 **
  • 바비치캐서리나 / 미국 뉴욕주 ***** 차파쿠아 버치우드 클로즈 ***
  • 체이에스제이 / 미국 뉴욕주 ***** 오시닝 아파트먼트 씨비* 월든 로드 **-*/*
  • 힙스마이클스트레이트 / 미국 버몬트주 ***** 웨스트포드 올드 스테이지 로드 ****
  • 랭로버트엔 / 미국 뉴욕주 ***** 플레즌트 밸리 노스 애비뉴 ***
  • 마호로왈라아판프라빈 / 미국 뉴욕주 ***** 브롱크스빌 브롱크스빌 로드 ***
  • 라세트케네스크리스토퍼 / 미국 버몬트주 ***** 페어팩스 벅 할로우 로드 ****
출원인 / 주소
  • 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 / 미국 ***** 뉴욕주 아몬크 뉴오차드 로드
대리인 / 주소
  • 김진회; 김성기 (Kim, Jin Hoe)
  • 서울 중구 충무로 *가 **-* 극동빌딩 **층(리인터내셔날특허법률사무소); 서울 중구 충무로*가 **-* 극동빌딩 **층(김성기특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (2004-09-16)
심사진행상태 등록결정(심사전치후)
법적상태 소멸

초록

투과된 광의 위상변이를 생성하는 감쇠된 매입형 위상변이 포토마스크 블랭크는 금속, 규소, 질소 및 산소로 제조된 광학적으로 반투명한 필름으로 형성된다. 위상변이층의 에칭 선택성을 개선시키기 위해 에칭 스톱층을 부가한다. 상기 방법에 의해 광범위한 광 투과율(157NM에서 0.001% 내지 15%)이 얻어진다.

대표청구항 ▼

기판; 상기 기판 위에 침착된 에칭 스톱층; 및 상기 에칭 스톱층 위에 배치된 위상변이층을 포함하고, 500nm 미만의 선택된 파장에서 실질적으로 180° 위상변이 및 0.001% 이상의 광 투과율을 갖는 포토마스크를 생성할 수 있는, 리소그래피용 감쇠된 위상변이 마스크 블랭크. 제 1 항에 있어서, 상기 위상변이층이 화학식 AwBxNyOz의 복합 물질(여기서, A는 IVA족, VA족 또는 VIA족으로 이루어진 군으로부터 선택된 원소이고; B는 II족, IV족, V족, 전이 금속, 란타니드 및 악티니드 원소로 이루어진 군으로부터 선

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. [미국] Attenuated phase shift mask and a method for making the mask | Smith Bruce W.
    상세보기
  2. [한국] 위상시프트마스크 블랭크 및 그 제조방법 | 미쓰이 히데아끼, 마쓰모또 겐지, 야마구찌 요이찌
    상세보기
  3. [한국] 하프톤 위상 시프트 포토 마스크 및 이를 제작하기 위한하프톤 위상 시프트 포토 마스크용 블랭크 | 후지까와 준지, 기나세 요시노리, 오까무라 다까후미, 모오리 히로시, 요꼬야마 도시후미, 고꾸보 하루오
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이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. [한국] 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크용 스퍼터링 타겟, 이를이용한 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크,그리고 그 제조방법 | 남기수, 차한선, 양신주, 양철규, 강주현
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