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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1996-0024420 (1996-06-27) |
공개번호 | 10-1998-0006258 (1998-03-30) |
등록번호 | 10-0188121-0000 (1999-01-11) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019960024420 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1996-06-27) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 BCDMOS(Bipolar + CMOS + Double Fiffused MOS)의 제조 공정에 관한 것으로 특히, 웨이퍼의 소정 영역에 제1, 제2 전도성 웰영역을 인접하게 형성시키고 상기 제2전도성 웰의 전체 영역과 제1전도성 웰 영역의 중심부에 대응하는 소정의 영역 및 임의의 특정 영역의 중심부와 주변에 대응하는 부분 이외의 영역이 노출될 수 있도록 사진작업과 식각공정을 수행하는 제1공정과; 특정 영역에 해당하는 부분만을 노출시키도록 포토 레지스터를 형성하고 노출된 영역에 제1전도성 이온을 주사하여 제2의 제1전도성형
웨이퍼의 소정 영역에 제1, 제2 전도성 웰영역을 인접하게 형성시키고 상기 제2전도성 웰의 전체 영역과 제1전도성 웰 영역의 중심부에 대응하는 소정의 영역 및 임의의 특정 영역의 중심부와 주변에 대응하는 부분 이외의 영역이 노출될 수 있도록 사진작업과 식각공정을 수행하는 제1공정과; 상기 특정 영역에 해당하는 부분만을 노출시키도록 포토 레지스터를 형성하고 노출된 영역에 제1전도성 이온을 주사하여 제2의 제1전도성형 웰 영역을 생성시키는 제2공정과; 제2공정에서 형성되어진 포토 레지스터를 제거하여 제1공정에서 생성되어진 제1전도성형
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