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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-1996-0035328 (1996-08-24) |
공개번호 | 10-1998-0015871 (1998-05-25) |
등록번호 | 10-0390394-0000 (2003-06-25) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019960035328 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2001-08-22) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
반도체 레이져 다이오드의 제조방법에 관한 것으로, 2차 제2클래드층 형성시 양질의 결정성장을 얻기 위하여 700℃ 이상의 고온에서 AlGaAs를 성장시킬 경우에 1차 제2클래드층에서 활성층으로 아연확산이 발생하여 레이저 다이오드의 동작특성을 변화시키는 문제점이 있었다.이를 해결하기 위한 본 발명은 약 600℃의 온도에서 양질의 결정성장을 얻을 수 있는 InGaAsP를 사용하여 2차 제2클래드층을 형성하므로 레이저 다이오드의 변화를 방지하여 소자의 신뢰성을 극대화 할 수 있다.
기판상에 버퍼층, 제1클래드층, 활성층, 1차 제2클래드층을 차례로 형성하는 스텝;상기 1차 제2클래드층의 소정영역에 전류차단층을 형성하는 스텝;상기 전류차단층을 포함한 전면에 InXGa1-XAsyP1-y를 성장시켜 2차 제2클래드층을 형성하는 스텝 ;상기 2차 제2클래드층 전면에 캡층을 형성하는 스텝 ; 그리고상기 캡층상에 제1전극을 형성하고 상기 기판 하부에 제2전극을 형성하는 스탭을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 레이져 다이오드의 제조방법.제1항에 있어서,상기 InXGa1-XAsyP1-y의 조성비 X는 약 0.45,
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