초록 ▼

오늘날 정보화 사회를 지향하는 선진각국은 물로 기존통신망의 불비한 점을 한꺼번에 해결하려는 개발도상국들은 새로운 정보 전달수단으로써 위성통신을 현재 국내외 통신망에 이용하고 있거나 도입을 추진하고 있다. 그러므로 대량의 정보를 신속하고 정확하게 전달하기 위한 전자통신 기술에 있어서 반도체소자의 개발은 필수적인 요인이다.
고전력 GaAs MESFET는 초고주파 소자의 하나로 여러분야에서 사용되고 있으며 특히 위성통신을 위한 아나로그와 디지탈 전파통신 시스템에서 고전력증폭기의 active소자로 사용되고 있다.

오늘날 정보화 사회를 지향하는 선진각국은 물로 기존통신망의 불비한 점을 한꺼번에 해결하려는 개발도상국들은 새로운 정보 전달수단으로써 위성통신을 현재 국내외 통신망에 이용하고 있거나 도입을 추진하고 있다. 그러므로 대량의 정보를 신속하고 정확하게 전달하기 위한 전자통신 기술에 있어서 반도체소자의 개발은 필수적인 요인이다.
고전력 GaAs MESFET는 초고주파 소자의 하나로 여러분야에서 사용되고 있으며 특히 위성통신을 위한 아나로그와 디지탈 전파통신 시스템에서 고전력증폭기의 active소자로 사용되고 있다.
따라서 본 연구에서는 일반적인 반도체인 실리콘보다 재료특성면에 있어서 우수한 III-V족 화합물 반도체인 GaAs를 이용하여 주파수범위 3-6GHz대에서 출력이 0.5W이상 3W 이내의 고전력 GaAs MESFET의 공정기술을 개발하였다.
또한 이 연구 결과에 따른 설계 및 공정기술을 바탕으로 최첨단 반도체 기술을 국내에 유치하여 GaAs소자의 국산화를 촉진하고 이에 따른 수입대체 효과도 기대된다.

Abstract ▼

Nowadays, not only the developed contries aiming at the informationalized society, but also the developing contries intending to solve at once defects of the existing communication networks, have been made use of satellite communication in domestic and outside communication networks or, by means of

Nowadays, not only the developed contries aiming at the informationalized society, but also the developing contries intending to solve at once defects of the existing communication networks, have been made use of satellite communication in domestic and outside communication networks or, by means of a new information transmission, have been promoted a plan to introdece it.
Therefore, the development of semiconductor device is an indispensable factor in order to transmit massive informations rapidly and exactly.
High power GaAs MESFET's has been utilized one of the most important microwave devices in various fields, used active device of high power amplifiers for analog and digital electric wave communication system in satellite communication, respectively.
Accordingly, the research of using GaAs, one of III-V chemical semiconductors has some advantages in material characteristic over the conventional silicon, has been developed process development for high power GaAs MESFET's. For the frequency range of 3-6 GHz, an output power was obtained over 0.5 and below 3 W.
Also, as a result of research, based on design and process development, it is invited high - tech semiconductor process in domestic, promoted the domestic production of GaAs device and expected effects on replacing income.

목차 Contents

• 1. 서 론...6
• 2. GaAs power MESFET 이론...8
• 3. GaAs power MESFET 설계...28
• 4. GaAs MESFET 제작 및 특성 측정...46
• 5. 결 론...72
• 인용문헌...74