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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-1996-0069285 (1996-12-20) |
공개번호 | 10-1998-0050462 (1998-09-15) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019960069285 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1996-12-20) |
심사진행상태 | 포기(등록결정전 포기서제출) |
법적상태 | 포기 |
본 발명은 기존의 화합물반도체 소자의 제조 방법을 핫전자 장치의 전기적 특성을 최대화할 수 있도록 개선함으로써 기존의 핫전자 장치의 특성을 향상시키는데 주 목적이 있다. 그 특징으로 언더컷, 메사의 등방성 에칭등의 문제점이 없는 서브 마이크론 이하의 에미터 메사형성이 가능하도록, 반응성이온식각의 건식식각법을 도입하였다. 또한 베이스층을 줄임으로써 핫전자의 천이시간을 줄여 소자의 초고속 특성을 향상시키기 위한 노력의 일환으로 적은 확산 길이를 갖는 Pd/Ge 금속을 이용하여 베이스층의 특성을 향상시켰다. 이러한 새로운 제조방법을 이
기판; 상기 기판 상에 형성된 콜렉터층; 상기 콜렉터층 상에 형성되되 상기 콜렉터층의 일부를 노출시키는 불순물이 도핑되지 않은 제 1 장벽층; 상기 제 1 장벽층 상에 형성되되 상기 제 1 장벽층과 동일한 폭을 갖고 형성된 베이스층; 상기 베이스층 상에 형성되되 상기 베이스층의 일부를 노출시키는 불순물이 도핑되지 않은 제 2 장벽층; 및 상기 제 2 장벽층 상에 형성되되 상기 제 2 장벽층과 동일한 폭을 갖고 형성된 에미터층을 포함하여 이루어지는 핫전자 장치.제 1 항에 있어서, 상기 제 2 장벽층은, 전위변화 흡수를 위한 불순물
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